NROM器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810112512.1

申请日：

2008-05-23

公开(公告)号：

CN101587864A

公开(公告)日：

2009-11-25

发明(设计)人：

鲍震雷宋立军

申请人：

申请人地址：

100176北京市经济技术开发区文昌大道18号

IPC主分类号：

H01L218247

IPC分类号：

H01L27115

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

李丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-01-20	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-11-25	公开	公开
2012-07-11	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101425528471 IPC(主分类):H01L 21/8247 专利申请号:2008101125121 公开日:20091125

共 50 条

[1]

NROM器件的制作方法 [P].

赵敏局 ;

司伟 ;

吴俊徐 ;

李润领 .

中国专利 :CN101908507A ,2010-12-08

[2]

半导体器件的制作方法 [P].

王国华 ;

吴汉明 ;

张海洋 .

中国专利 :CN101777494B ,2010-07-14

[3]

闪存器件及其制作方法 [P].

杜怡行 ;

王壮壮 ;

王虎 ;

姚春 .

中国专利 :CN115411045A ,2022-11-29

[4]

LDMOS器件及其制作方法 [P].

蒲贤勇 ;

马千成 ;

程勇 ;

曹国豪 .

中国专利 :CN104867974A ,2015-08-26

[5]

一种DMOS器件及其制作方法 [P].

马万里 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN103050405B ,2013-04-17

[6]

测试器件及其制作方法、半导体器件及其制作方法 [P].

李秀莹 ;

刘宇 ;

王鹏 .

中国专利 :CN102931172B ,2013-02-13

[7]

半导体器件及其制作方法 [P].

禹国宾 .

中国专利 :CN103839983B ,2014-06-04

[8]

半导体器件及其制作方法 [P].

薛琬晴 ;

靳耀乐 ;

严翔 ;

闫晓晖 ;

丁丽真 ;

沈文杰 .

中国专利 :CN118571842A ,2024-08-30

[9]

半导体器件及其制作方法 [P].

丁文波 ;

叶甜春 ;

罗军 ;

赵杰 ;

薛静 .

中国专利 :CN113206010A ,2021-08-03

[10]

半导体器件及其制作方法 [P].

韩广涛 .

中国专利 :CN111584633A ,2020-08-25

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