LDMOS器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410065295.0

申请日：

2014-02-25

公开(公告)号：

CN104867974A

公开(公告)日：

2015-08-26

发明(设计)人：

蒲贤勇马千成程勇曹国豪

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

董文倩;吴贵明

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-08-26	公开	公开
2015-09-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101626815343 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2014100652950 申请日:20140225
2018-11-09	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/78 申请公布日:20150826

共 50 条

[1]

LDMOS器件及其制作方法 [P].

林威 ;

程小强 ;

郎金荣 .

中国专利 :CN110867375A ,2020-03-06

[2]

LDMOS器件及其制作方法 [P].

林威 ;

程小强 ;

郎金荣 .

中国专利 :CN110867375B ,2024-04-26

[3]

LDMOS器件及其制作方法 [P].

魏琰 ;

宋化龙 .

中国专利 :CN105097917A ,2015-11-25

[4]

LDMOS器件及其制作方法 [P].

张博 .

中国专利 :CN118231470A ,2024-06-21

[5]

LDMOS器件的制作方法和LDMOS器件 [P].

嵇彤 ;

叶甜春 ;

朱纪军 ;

李彬鸿 ;

罗军 ;

赵杰 ;

许静 ;

许滨滨 ;

王国庆 .

中国专利 :CN115360230B ,2024-05-07

[6]

LDMOS器件及其制作方法 [P].

嵇彤 ;

叶甜春 ;

朱纪军 ;

李彬鸿 ;

罗军 ;

赵杰 ;

许静 ;

许滨滨 ;

王国庆 .

中国专利 :CN114361037A ,2022-04-15

[7]

LDMOS器件及其制作方法 [P].

刘俊文 ;

陈华伦 ;

陈瑜 .

中国专利 :CN111128962B ,2020-05-08

[8]

LDMOS器件的制作方法和LDMOS器件 [P].

嵇彤 ;

叶甜春 ;

朱纪军 ;

李彬鸿 ;

罗军 ;

赵杰 ;

许静 ;

许滨滨 ;

王国庆 .

中国专利 :CN115360230A ,2022-11-18

[9]

LDMOS的制作方法及LDMOS器件 [P].

刘俊文 ;

陈华伦 ;

陈瑜 .

中国专利 :CN111129153A ,2020-05-08

[10]

LDMOS器件的制作方法、LDMOS器件 [P].

刘俊文 ;

陈华伦 ;

陈瑜 .

中国专利 :CN111180339B ,2020-05-19

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