LDMOS器件的制作方法和LDMOS器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210655638.3

申请日：

2022-06-10

公开(公告)号：

CN115360230B

公开(公告)日：

2024-05-07

发明(设计)人：

嵇彤叶甜春朱纪军李彬鸿罗军赵杰许静许滨滨王国庆

申请人：

广东省大湾区集成电路与系统应用研究院锐立平芯微电子（广州）有限责任公司

申请人地址：

510535 广东省广州市开发区开源大道136号A栋

IPC主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

H01L29/51 H01L21/336 H01L29/78

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

霍文娟

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

广东省广州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-08-16	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移IPC(主分类):H01L 29/06登记生效日:20240801变更事项:专利权人变更前权利人:广东省大湾区集成电路与系统应用研究院变更后权利人:锐立平芯微电子（广州）有限责任公司变更事项:国家或地区变更前权利人:中国变更后权利人:中国变更事项:地址变更前权利人:510535 广东省广州市开发区开源大道136号A栋变更后权利人:510760 广东省广州市黄埔区开发大道348号建设大厦710室变更事项:专利权人变更前权利人:锐立平芯微电子（广州）有限责任公司变更事项:国家或地区变更前权利人:中国
2024-05-07	授权	授权

共 50 条

[1]

LDMOS器件的制作方法和LDMOS器件 [P].

嵇彤 ;

叶甜春 ;

朱纪军 ;

李彬鸿 ;

罗军 ;

赵杰 ;

许静 ;

许滨滨 ;

王国庆 .

中国专利 :CN115360230A ,2022-11-18

[2]

LDMOS器件的制作方法、LDMOS器件 [P].

刘俊文 ;

陈华伦 ;

陈瑜 .

中国专利 :CN111180339B ,2020-05-19

[3]

LDMOS器件及其制作方法 [P].

嵇彤 ;

叶甜春 ;

朱纪军 ;

李彬鸿 ;

罗军 ;

赵杰 ;

许静 ;

许滨滨 ;

王国庆 .

中国专利 :CN114361037A ,2022-04-15

[4]

LDMOS的制作方法及LDMOS器件 [P].

刘俊文 ;

陈华伦 ;

陈瑜 .

中国专利 :CN111129153A ,2020-05-08

[5]

LDMOS器件及其制作方法 [P].

林威 ;

程小强 ;

郎金荣 .

中国专利 :CN110867375A ,2020-03-06

[6]

LDMOS器件及其制作方法 [P].

蒲贤勇 ;

马千成 ;

程勇 ;

曹国豪 .

中国专利 :CN104867974A ,2015-08-26

[7]

LDMOS器件及其制作方法 [P].

林威 ;

程小强 ;

郎金荣 .

中国专利 :CN110867375B ,2024-04-26

[8]

LDMOS器件及其制作方法 [P].

张博 .

中国专利 :CN118231470A ,2024-06-21

[9]

LDMOS器件及其制作方法 [P].

于绍欣 ;

高沛雄 .

中国专利 :CN114639737A ,2022-06-17

[10]

LDMOS器件及其制作方法 [P].

刘俊文 ;

陈华伦 ;

陈瑜 .

中国专利 :CN111128962B ,2020-05-08

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