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一种分离栅MOSFET的制作方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202111065259.0
申请日：
2021-09-11
公开(公告)号：
CN113725078A
公开(公告)日：
2021-11-30
发明(设计)人：
张楠 黄健 孙闫涛 顾昀浦 刘静
申请人：
申请人地址：
201306 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区南汇新城镇海洋一路333号1号楼、2号楼
IPC主分类号：
H01L2128
IPC分类号：
H01L21336
代理机构：
广州京诺知识产权代理有限公司 44407
代理人：
于睿虬
法律状态：
公开
国省代码：
引用
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-11-30 公开 公开
2021-12-17 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20210911
2022-11-11 发明专利申请公布后的视为撤回 发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/28 申请公布日:20211130
共 50 条
[1]
一种分离栅MOSFET的制作方法 [P]. 
顾昀浦 ;
黄健 ;
孙闫涛 ;
宋跃桦 ;
吴平丽 ;
樊君 ;
张丽娜 .
中国专利 :CN111276394B ,2020-06-12
[2]
一种分离栅MOSFET的制作方法 [P]. 
孙闫涛 ;
黄健 ;
张朝志 ;
顾昀浦 ;
宋跃桦 ;
吴平丽 ;
樊君 ;
张丽娜 ;
虞翔 .
中国专利 :CN111403289B ,2020-07-10
[3]
一种分离栅MOSFET的制作方法 [P]. 
顾昀浦 ;
黄健 ;
孙闫涛 ;
张朝志 ;
宋跃桦 ;
吴平丽 ;
樊君 ;
张丽娜 ;
虞翔 .
中国专利 :CN111415868A ,2020-07-14
[4]
一种分离栅MOSFET的制作方法 [P]. 
顾昀浦 ;
黄健 ;
孙闫涛 ;
张楠 ;
宋跃桦 ;
刘静 ;
吴平丽 .
中国专利 :CN114743879A ,2022-07-12
[5]
一种屏蔽栅MOSFET的制作方法 [P]. 
潘光燃 ;
胡瞳腾 .
中国专利 :CN113782449A ,2021-12-10
[6]
一种分离栅MOSFET的制作方法 [P]. 
顾昀浦 ;
黄健 ;
孙闫涛 ;
张楠 ;
宋跃桦 ;
刘静 ;
吴平丽 .
中国专利 :CN114038747A ,2022-02-11
[7]
沟槽型双层栅MOSFET的制作方法 [P]. 
陈晨 .
中国专利 :CN106887465A ,2017-06-23
[8]
一种分离栅MOSFET器件及其制作方法 [P]. 
钱鑫 .
中国专利 :CN117457741A ,2024-01-26
[9]
一种低压屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法 [P]. 
陈雪萌 ;
王艳颖 ;
钱晓霞 ;
汤艺 .
中国专利 :CN113517350A ,2021-10-19
[10]
一种分离栅半导体器件的制作方法 [P]. 
郑磊 ;
李雪梅 ;
郝思迪 .
中国专利 :CN120166725A ,2025-06-17
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