一种分离栅MOSFET的制作方法

被引：0

申请号：

CN202210343805.0

申请日：

2022-04-02

公开(公告)号：

CN114743879A

公开(公告)日：

2022-07-12

发明(设计)人：

顾昀浦黄健孙闫涛张楠宋跃桦刘静吴平丽

申请人：

申请人地址：

201306 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区南汇新城镇海洋一路333号1号楼、2号楼

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128 H01L29423

代理机构：

广州京诺知识产权代理有限公司 44407

代理人：

于睿虬

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-12	公开	公开
2022-07-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20220402

共 50 条

[1]

一种分离栅MOSFET的制作方法 [P].

顾昀浦 ;

黄健 ;

孙闫涛 ;

宋跃桦 ;

吴平丽 ;

樊君 ;

张丽娜 .

中国专利 :CN111276394B ,2020-06-12

[2]

一种分离栅MOSFET的制作方法 [P].

张楠 ;

黄健 ;

孙闫涛 ;

顾昀浦 ;

刘静 .

中国专利 :CN113725078A ,2021-11-30

[3]

一种分离栅MOSFET的制作方法 [P].

顾昀浦 ;

黄健 ;

孙闫涛 ;

张朝志 ;

宋跃桦 ;

吴平丽 ;

樊君 ;

张丽娜 ;

虞翔 .

中国专利 :CN111415868A ,2020-07-14

[4]

一种分离栅MOSFET的制作方法 [P].

孙闫涛 ;

黄健 ;

张朝志 ;

顾昀浦 ;

宋跃桦 ;

吴平丽 ;

樊君 ;

张丽娜 ;

虞翔 .

中国专利 :CN111403289B ,2020-07-10

[5]

一种分离栅MOSFET的制作方法 [P].

顾昀浦 ;

黄健 ;

孙闫涛 ;

张楠 ;

宋跃桦 ;

刘静 ;

吴平丽 .

中国专利 :CN114038747A ,2022-02-11

[6]

一种分离栅MOSFET器件及其制作方法 [P].

钱鑫 .

中国专利 :CN117457741A ,2024-01-26

[7]

一种屏蔽栅MOSFET的制作方法 [P].

潘光燃 ;

胡瞳腾 .

中国专利 :CN113782449A ,2021-12-10

[8]

沟槽型双层栅MOSFET的制作方法 [P].

陈晨 .

中国专利 :CN106887465A ,2017-06-23

[9]

一种分离栅功率MOSFET器件的制造方法 [P].

乔明 ;

马涛 ;

王正康 ;

张波 .

中国专利 :CN113078066A ,2021-07-06

[10]

一种屏蔽栅沟槽MOSFET的制作方法 [P].

颜宇 ;

颜妮娜 .

中国专利 :CN114005789A ,2022-02-01

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