一种屏蔽栅MOSFET的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111157822.7

申请日：

2021-09-30

公开(公告)号：

CN113782449A

公开(公告)日：

2021-12-10

发明(设计)人：

潘光燃胡瞳腾

申请人：

申请人地址：

518049 广东省深圳市福田区梅林街道梅华路105号国际电子商务产业园3栋202B房

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

深圳市中融创智专利代理事务所(普通合伙) 44589

代理人：

邹蓝;叶垚平

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20210930
2021-12-10	公开	公开

共 50 条

[1]

一种屏蔽栅沟槽MOSFET及其制作方法 [P].

张伟 ;

田甜 ;

张小兵 ;

廖光朝 .

中国专利 :CN114784110A ,2022-07-22

[2]

一种屏蔽栅MOSFET(SGT)的制作方法 [P].

黄平 ;

鲍利华 ;

顾海颖 .

中国专利 :CN114999916A ,2022-09-02

[3]

一种屏蔽栅沟槽MOSFET的制造方法 [P].

潘光燃 ;

胡瞳腾 .

中国专利 :CN113808949A ,2021-12-17

[4]

一种屏蔽栅沟槽MOSFET的制造方法 [P].

潘光燃 ;

胡瞳腾 .

中国专利 :CN113808949B ,2025-02-14

[5]

一种屏蔽栅功率MOSFET及其制作方法 [P].

谭键文 ;

肖璇 ;

骆菲 ;

何明江 ;

叶俊 ;

杨治宇 ;

徐建祥 ;

侯钦志 ;

原康 .

中国专利 :CN118073186A ,2024-05-24

[6]

一种屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN114975099B ,2025-08-19

[7]

一种分离栅MOSFET的制作方法 [P].

顾昀浦 ;

黄健 ;

孙闫涛 ;

宋跃桦 ;

吴平丽 ;

樊君 ;

张丽娜 .

中国专利 :CN111276394B ,2020-06-12

[8]

一种分离栅MOSFET的制作方法 [P].

张楠 ;

黄健 ;

孙闫涛 ;

顾昀浦 ;

刘静 .

中国专利 :CN113725078A ,2021-11-30

[9]

一种屏蔽栅沟槽MOSFET的制作方法 [P].

颜宇 ;

颜妮娜 .

中国专利 :CN114005789A ,2022-02-01

[10]

一种屏蔽栅沟槽MOSFET的制作方法 [P].

颜宇 ;

颜妮娜 .

中国专利 :CN114005789B ,2025-08-26

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