一种屏蔽栅功率MOSFET及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211473886.2

申请日：

2022-11-22

公开(公告)号：

CN118073186A

公开(公告)日：

2024-05-24

发明(设计)人：

谭键文肖璇骆菲何明江叶俊杨治宇徐建祥侯钦志原康

申请人：

华润微电子（重庆）有限公司

申请人地址：

401331 重庆市沙坪坝区西永大道25号

IPC主分类号：

H01L21/28

IPC分类号：

H01L29/423

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

刘星

法律状态：

公开

国省代码：

重庆市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-24	公开	公开
2024-06-11	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/28申请日:20221122

共 50 条

[1]

屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法 [P].

安秋爽 ;

徐承福 ;

徐旭东 ;

丛茂杰 ;

陆珏 .

中国专利 :CN117790576A ,2024-03-29

[2]

一种低压屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法 [P].

陈雪萌 ;

王艳颖 ;

钱晓霞 ;

汤艺 .

中国专利 :CN113517350A ,2021-10-19

[3]

一种屏蔽栅功率MOSFET结构及制作方法 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN111261717A ,2020-06-09

[4]

一种屏蔽栅沟槽MOSFET及其制作方法 [P].

张伟 ;

田甜 ;

张小兵 ;

廖光朝 .

中国专利 :CN114784110A ,2022-07-22

[5]

一种屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN114975099B ,2025-08-19

[6]

一种屏蔽栅功率MOSFET [P].

白羽 .

中国专利 :CN217903127U ,2022-11-25

[7]

一种屏蔽栅功率MOSFET [P].

白羽 .

中国专利 :CN115148788A ,2022-10-04

[8]

一种屏蔽栅MOSFET的制作方法 [P].

潘光燃 ;

胡瞳腾 .

中国专利 :CN113782449A ,2021-12-10

[9]

一种屏蔽栅MOSFET及制作方法 [P].

李伟聪 ;

姜春亮 ;

雷秀芳 .

中国专利 :CN113851523B ,2021-12-28

[10]

一种屏蔽栅功率半导体器件及其制作方法 [P].

刘科科 ;

钟义栋 ;

董云 .

中国专利 :CN117334579B ,2024-11-01

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