一种屏蔽栅MOSFET及制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111025942.1

申请日：

2021-09-02

公开(公告)号：

CN113851523B

公开(公告)日：

2021-12-28

发明(设计)人：

李伟聪姜春亮雷秀芳

申请人：

申请人地址：

518000 广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29423 H01L2978 H01L21336

代理机构：

深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651

代理人：

帅进军

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20210902
2022-11-18	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 29/06 变更事项:申请人变更前:深圳市威兆半导体有限公司变更后:深圳市威兆半导体股份有限公司变更事项:地址变更前:518000 广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301 变更后:518000 广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
2022-12-13	授权	授权
2021-12-28	公开	公开

共 50 条

[1]

一种屏蔽栅MOSFET [P].

李伟聪 ;

姜春亮 ;

雷秀芳 .

中国专利 :CN216288470U ,2022-04-12

[2]

一种屏蔽栅沟槽MOS器件及制作方法 [P].

肖月桃 ;

张伟 ;

田甜 ;

廖光朝 .

中国专利 :CN119317170A ,2025-01-14

[3]

一种屏蔽栅沟槽MOS器件及制作方法 [P].

肖月桃 ;

张伟 ;

田甜 ;

廖光朝 .

中国专利 :CN119317170B ,2025-03-11

[4]

屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法 [P].

安秋爽 ;

徐承福 ;

徐旭东 ;

丛茂杰 ;

陆珏 .

中国专利 :CN117790576A ,2024-03-29

[5]

一种屏蔽栅功率MOSFET及其制作方法 [P].

谭键文 ;

肖璇 ;

骆菲 ;

何明江 ;

叶俊 ;

杨治宇 ;

徐建祥 ;

侯钦志 ;

原康 .

中国专利 :CN118073186A ,2024-05-24

[6]

一种屏蔽栅MOSFET的制作方法 [P].

潘光燃 ;

胡瞳腾 .

中国专利 :CN113782449A ,2021-12-10

[7]

一种屏蔽栅沟槽MOSFET结构及其制作方法 [P].

兰总金 .

中国专利 :CN120769521A ,2025-10-10

[8]

一种低压屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法 [P].

陈雪萌 ;

王艳颖 ;

钱晓霞 ;

汤艺 .

中国专利 :CN113517350A ,2021-10-19

[9]

一种屏蔽栅沟槽MOSFET及其制作方法 [P].

金梦静 ;

石磊 .

中国专利 :CN114023647A ,2022-02-08

[10]

一种屏蔽栅沟槽MOSFET及其制作方法 [P].

张伟 ;

田甜 ;

张小兵 ;

廖光朝 .

中国专利 :CN114784110A ,2022-07-22

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