一种屏蔽栅功率MOSFET结构及制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010060919.5

申请日：

2020-01-19

公开(公告)号：

CN111261717A

公开(公告)日：

2020-06-09

发明(设计)人：

颜树范

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336 H01L29423

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

戴广志

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-07-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20200119
2020-06-09	公开	公开

共 50 条

[1]

一种屏蔽栅功率MOSFET及其制作方法 [P].

谭键文 ;

肖璇 ;

骆菲 ;

何明江 ;

叶俊 ;

杨治宇 ;

徐建祥 ;

侯钦志 ;

原康 .

中国专利 :CN118073186A ,2024-05-24

[2]

一种屏蔽栅沟槽MOSFET及其制作方法 [P].

金梦静 ;

石磊 .

中国专利 :CN114023647A ,2022-02-08

[3]

一种屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN114496756A ,2022-05-13

[4]

一种屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN114496755A ,2022-05-13

[5]

一种屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN114496755B ,2025-05-02

[6]

屏蔽栅功率MOSFET的制造方法 [P].

柯行飞 .

中国专利 :CN106024607A ,2016-10-12

[7]

一种屏蔽栅功率MOSFET [P].

白羽 .

中国专利 :CN217903127U ,2022-11-25

[8]

一种屏蔽栅沟槽结构、屏蔽栅沟槽MOSFET [P].

孙健 ;

其他发明人请求不公开姓名 .

中国专利 :CN215266310U ,2021-12-21

[9]

一种屏蔽栅功率MOSFET [P].

白羽 .

中国专利 :CN115148788A ,2022-10-04

[10]

一种屏蔽栅MOSFET的制作方法 [P].

潘光燃 ;

胡瞳腾 .

中国专利 :CN113782449A ,2021-12-10

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