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屏蔽栅功率MOSFET的制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201610329379.X
申请日：
2016-05-18
公开(公告)号：
CN106024607A
公开(公告)日：
2016-10-12
发明(设计)人：
柯行飞
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
IPC主分类号：
H01L2128
IPC分类号：
H01L2906
H01L2940
代理机构：
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人：
郭四华
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2016-10-12 | 公开 | 公开 |
| 2019-01-04 | 授权 | 授权 |
| 2016-11-09 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101687266434 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:201610329379X 申请日:20160518 |