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屏蔽栅功率MOSFET器件及其制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201911409251.4
申请日：
2019-12-31
公开(公告)号：
CN111129157A
公开(公告)日：
2020-05-08
发明(设计)人：
王宇澄 张子敏
申请人：
申请人地址：
214072 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A3栋811
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L21336 H01L29423
代理机构：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104
代理人：
曹祖良;涂三民
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2020-05-08 公开 公开
2020-06-02 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20191231
共 50 条
[1]
一种屏蔽栅功率MOSFET器件及其制造方法 [P]. 
朱袁正 ;
叶鹏 ;
刘晶晶 .
中国专利 :CN109065542A ,2018-12-21
[2]
屏蔽栅功率MOSFET的制造方法 [P]. 
柯行飞 .
中国专利 :CN106024607A ,2016-10-12
[3]
屏蔽栅功率器件制造方法及其功率器件 [P]. 
张蕾 ;
谭艳琼 ;
陈正嵘 ;
丁佳 ;
钱佳成 ;
李志国 ;
吴长明 .
中国专利 :CN113223949B ,2021-08-06
[4]
一种屏蔽栅功率MOSFET器件 [P]. 
朱袁正 ;
叶鹏 ;
刘晶晶 .
中国专利 :CN208489191U ,2019-02-12
[5]
功率MOSFET器件及其制造方法 [P]. 
朱袁正 ;
叶鹏 .
中国专利 :CN102437188A ,2012-05-02
[6]
屏蔽栅沟槽功率器件及其制造方法 [P]. 
颜树范 .
中国专利 :CN107068763A ,2017-08-18
[7]
屏蔽栅沟槽功率器件及其制造方法 [P]. 
颜树范 .
中国专利 :CN106876279A ,2017-06-20
[8]
屏蔽栅沟槽功率器件及其制造方法 [P]. 
颜树范 .
中国专利 :CN106298941A ,2017-01-04
[9]
屏蔽栅沟槽功率器件及其制造方法 [P]. 
刘沙沙 ;
石磊 .
中国专利 :CN111883583A ,2020-11-03
[10]
屏蔽栅沟槽功率器件及其制造方法 [P]. 
杨亚锋 ;
石磊 .
中国专利 :CN111883592A ,2020-11-03
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