MOS器件的制备方法及MOS器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011029074.X

申请日：

2020-09-25

公开(公告)号：

CN112117326B

公开(公告)日：

2020-12-22

发明(设计)人：

申占伟刘兴昉赵万顺王雷闫果果孙国胜曾一平

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L2916 H01L2978 H01L21336

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

周天宇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-22	公开	公开
2022-02-18	授权	授权
2021-01-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/423 申请日:20200925

共 50 条

[1]

沟槽MOS器件及沟槽MOS器件的制备方法 [P].

李辉斌 ;

李理 ;

陈铭杰 ;

钟泳生 ;

周天彪 ;

陈慧 .

中国专利 :CN118763121A ,2024-10-11

[2]

沟槽MOS器件及沟槽MOS器件的制备方法 [P].

李辉斌 ;

李理 ;

陈铭杰 ;

钟泳生 ;

周天彪 ;

陈慧 .

中国专利 :CN118763121B ,2024-12-31

[3]

MOS器件和MOS器件的制备方法 [P].

李辉斌 ;

李理 ;

邱舜国 ;

宋旋坤 ;

刘颖聪 .

中国专利 :CN119698040A ,2025-03-25

[4]

MOS器件和MOS器件的制备方法 [P].

李辉斌 ;

李理 ;

邱舜国 ;

宋旋坤 ;

刘颖聪 .

中国专利 :CN119698040B ,2025-11-11

[5]

沟槽MOS器件及沟槽MOS器件的制备方法 [P].

李理 .

中国专利 :CN119300407A ,2025-01-10

[6]

纳米MOS器件制备方法及纳米MOS器件 [P].

吴东平 ;

胡成 ;

朱伦 ;

朱志炜 ;

张世理 ;

张卫 .

中国专利 :CN102201343A ,2011-09-28

[7]

MOS器件制备方法 [P].

唐树澍 .

中国专利 :CN102637600A ,2012-08-15

[8]

MOS器件和制造MOS器件的方法 [P].

塞巴斯蒂恩·尼坦克 .

中国专利 :CN101375399A ,2009-02-25

[9]

MOS器件的制备方法 [P].

武浩 ;

蒙飞 ;

谭艳琼 .

中国专利 :CN115360144A ,2022-11-18

[10]

改善MOS器件性能的方法及MOS器件结构 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN105742349B ,2016-07-06

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