纳米MOS器件制备方法及纳米MOS器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110106317.X

申请日：

2011-04-26

公开(公告)号：

CN102201343A

公开(公告)日：

2011-09-28

发明(设计)人：

吴东平胡成朱伦朱志炜张世理张卫

申请人：

申请人地址：

200433 上海市杨浦区邯郸路220号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128 H01L2978 B82Y4000

代理机构：

上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260

代理人：

卢刚

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-04-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581308500 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:201110106317X 申请日:20110426
2011-09-28	公开	公开
2017-06-30	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101754634656 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:201110106317X 申请公布日:20110928

共 50 条

[1]

MOS器件的制备方法及MOS器件 [P].

申占伟 ;

刘兴昉 ;

赵万顺 ;

王雷 ;

闫果果 ;

孙国胜 ;

曾一平 .

中国专利 :CN112117326B ,2020-12-22

[2]

纳米线围栅MOS器件及其制备方法 [P].

李俊杰 ;

徐秋霞 ;

周娜 ;

殷华湘 ;

贺晓彬 ;

李俊峰 ;

王文武 .

中国专利 :CN108962750B ,2018-12-07

[3]

一种MOS器件及其制备方法 [P].

吴东平 ;

朱伦 ;

胡成 ;

朱志炜 ;

张世理 ;

张卫 .

中国专利 :CN102184962A ,2011-09-14

[4]

沟槽MOS器件及沟槽MOS器件的制备方法 [P].

李辉斌 ;

李理 ;

陈铭杰 ;

钟泳生 ;

周天彪 ;

陈慧 .

中国专利 :CN118763121A ,2024-10-11

[5]

沟槽MOS器件及沟槽MOS器件的制备方法 [P].

李辉斌 ;

李理 ;

陈铭杰 ;

钟泳生 ;

周天彪 ;

陈慧 .

中国专利 :CN118763121B ,2024-12-31

[6]

MOS器件制备方法 [P].

唐树澍 .

中国专利 :CN102637600A ,2012-08-15

[7]

MOS器件和制造MOS器件的方法 [P].

塞巴斯蒂恩·尼坦克 .

中国专利 :CN101375399A ,2009-02-25

[8]

改善MOS器件性能的方法及MOS器件结构 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN105742349B ,2016-07-06

[9]

MOS器件及其制备方法 [P].

李辉斌 ;

李理 ;

周璇 ;

宋旋坤 ;

陈铭杰 .

中国专利 :CN119069537B ,2025-03-07

[10]

MOS器件及其制备方法 [P].

李辉斌 ;

李理 ;

周璇 ;

宋旋坤 ;

陈铭杰 .

中国专利 :CN119069537A ,2024-12-03

← 1 2 3 4 5 →