MOS器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411565542.3

申请日：

2024-11-05

公开(公告)号：

CN119069537A

公开(公告)日：

2024-12-03

发明(设计)人：

李辉斌李理周璇宋旋坤陈铭杰

申请人：

珠海格力电子元器件有限公司珠海格力电器股份有限公司

申请人地址：

519085 广东省珠海市高新区唐家湾镇金唐路1号港湾1号科创园24栋C区1层428室（集中办公区）

IPC主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/165 H01L21/336

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

崔雅茹

法律状态：

授权

国省代码：

广东省珠海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-07	授权	授权
2024-12-20	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20241105
2024-12-03	公开	公开

共 50 条

[1]

MOS器件及其制备方法 [P].

李辉斌 ;

李理 ;

周璇 ;

宋旋坤 ;

陈铭杰 .

中国专利 :CN119069537B ,2025-03-07

[2]

MOS器件及其制备方法 [P].

何亚川 ;

郭振强 ;

黄鹏 ;

姜慧琴 ;

于双 ;

肖敬才 .

中国专利 :CN118471912A ,2024-08-09

[3]

多层MOS器件及其制备方法 [P].

殷华湘 ;

张青竹 ;

林翔 .

中国专利 :CN109830463B ,2019-05-31

[4]

沟槽MOS器件及沟槽MOS器件的制备方法 [P].

李辉斌 ;

李理 ;

陈铭杰 ;

钟泳生 ;

周天彪 ;

陈慧 .

中国专利 :CN118763121A ,2024-10-11

[5]

沟槽MOS器件及沟槽MOS器件的制备方法 [P].

李辉斌 ;

李理 ;

陈铭杰 ;

钟泳生 ;

周天彪 ;

陈慧 .

中国专利 :CN118763121B ,2024-12-31

[6]

MOS器件的制备方法及MOS器件 [P].

申占伟 ;

刘兴昉 ;

赵万顺 ;

王雷 ;

闫果果 ;

孙国胜 ;

曾一平 .

中国专利 :CN112117326B ,2020-12-22

[7]

MOS器件制备方法 [P].

唐树澍 .

中国专利 :CN102637600A ,2012-08-15

[8]

MOS器件及其制备方法 [P].

李辉斌 ;

李理 ;

邱舜国 ;

郭国强 ;

孙兆泽 .

中国专利 :CN119069539A ,2024-12-03

[9]

MOS器件及其制备方法 [P].

李辉斌 ;

李理 ;

邱舜国 ;

郭国强 ;

孙兆泽 .

中国专利 :CN119069539B ,2025-03-04

[10]

MOS器件及其制备方法 [P].

李辉斌 ;

李理 ;

郭国强 ;

周璇 ;

陈慧 ;

宋旋坤 .

中国专利 :CN118866973A ,2024-10-29

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