MOS器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411565557.X

申请日：

2024-11-05

公开(公告)号：

CN119069539B

公开(公告)日：

2025-03-04

发明(设计)人：

李辉斌李理邱舜国郭国强孙兆泽

申请人：

珠海格力电子元器件有限公司珠海格力电器股份有限公司

申请人地址：

519085 广东省珠海市高新区唐家湾镇金唐路1号港湾1号科创园24栋C区1层428室（集中办公区）

IPC主分类号：

H10D30/66

IPC分类号：

H10D30/01 H10D62/10

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

崔雅茹

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

广东省珠海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-20	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20241105
2024-12-03	公开	公开
2025-03-04	授权	授权

共 50 条

[1]

MOS器件及其制备方法 [P].

李辉斌 ;

李理 ;

邱舜国 ;

郭国强 ;

孙兆泽 .

中国专利 :CN119069539A ,2024-12-03

[2]

沟槽MOS器件及沟槽MOS器件的制备方法 [P].

李辉斌 ;

李理 ;

陈铭杰 ;

钟泳生 ;

周天彪 ;

陈慧 .

中国专利 :CN118763121A ,2024-10-11

[3]

沟槽MOS器件及沟槽MOS器件的制备方法 [P].

李辉斌 ;

李理 ;

陈铭杰 ;

钟泳生 ;

周天彪 ;

陈慧 .

中国专利 :CN118763121B ,2024-12-31

[4]

MOS器件及其制备方法 [P].

李辉斌 ;

李理 ;

周璇 ;

宋旋坤 ;

陈铭杰 .

中国专利 :CN119069537B ,2025-03-07

[5]

MOS器件及其制备方法 [P].

李辉斌 ;

李理 ;

郭国强 ;

周璇 ;

陈慧 ;

宋旋坤 .

中国专利 :CN118866973A ,2024-10-29

[6]

MOS器件及其制备方法 [P].

邱慈云 ;

朱东园 ;

范永洁 ;

钱文生 ;

徐向明 ;

肖胜安 ;

陈帆 ;

刘鹏 ;

陈雄斌 ;

潘嘉 ;

刘冬华 ;

孙娟 ;

袁媛 ;

吴智勇 ;

黄志刚 ;

王雷 ;

郭晓波 ;

孟鸿林 ;

苏波 ;

季伟 ;

程晓华 ;

钱志刚 ;

陈福成 ;

刘继全 ;

孙勤 ;

金锋 ;

刘梅 .

中国专利 :CN103165671A ,2013-06-19

[7]

MOS器件及其制备方法 [P].

李辉斌 ;

李理 ;

周璇 ;

宋旋坤 ;

陈铭杰 .

中国专利 :CN119069537A ,2024-12-03

[8]

MOS器件及其制备方法 [P].

李辉斌 ;

李理 ;

陈铭杰 ;

周璇 ;

陈慧 .

中国专利 :CN119069538B ,2025-03-04

[9]

MOS器件及其制备方法 [P].

李辉斌 ;

李理 ;

郭国强 ;

宋旋坤 ;

陈铭杰 ;

周璇 .

中国专利 :CN118866974A ,2024-10-29

[10]

MOS器件及其制备方法 [P].

何亚川 ;

郭振强 ;

黄鹏 ;

姜慧琴 ;

于双 ;

肖敬才 .

中国专利 :CN118471912A ,2024-08-09

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