MOS器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110412663.0

申请日：

2011-12-12

公开(公告)号：

CN103165671A

公开(公告)日：

2013-06-19

发明(设计)人：

邱慈云朱东园范永洁钱文生徐向明肖胜安陈帆刘鹏陈雄斌潘嘉刘冬华孙娟袁媛吴智勇黄志刚王雷郭晓波孟鸿林苏波季伟程晓华钱志刚陈福成刘继全孙勤金锋刘梅

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2908 H01L29423 H01L21336

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

丁纪铁

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-02-05	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101689889818 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2011104126630 变更事项:申请人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140109
2015-10-14	授权	授权
2013-06-19	公开	公开
2013-07-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101494128172 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2011104126630 申请日:20111212

共 50 条

[1]

MOS器件及其制造方法 [P].

邱慈云 ;

朱东园 ;

范永洁 ;

钱文生 ;

徐向明 ;

肖胜安 ;

陈帆 ;

刘鹏 ;

陈雄斌 ;

潘嘉 ;

刘冬华 ;

孙娟 ;

袁媛 ;

吴智勇 ;

黄志刚 ;

王雷 ;

郭晓波 ;

孟鸿林 ;

苏波 ;

季伟 ;

程晓华 ;

钱志刚 ;

陈福成 ;

刘继全 ;

孙勤 ;

金锋 ;

刘梅 .

中国专利 :CN103165652A ,2013-06-19

[2]

MOS器件及制造方法 [P].

邱慈云 ;

朱东园 ;

范永洁 ;

钱文生 ;

徐向明 ;

肖胜安 ;

陈帆 ;

刘鹏 ;

陈雄斌 ;

潘嘉 ;

刘冬华 ;

孙娟 ;

袁媛 ;

吴智勇 ;

黄志刚 ;

王雷 ;

郭晓波 ;

孟鸿林 ;

苏波 ;

季伟 ;

程晓华 ;

钱志刚 ;

陈福成 ;

刘继全 ;

孙勤 ;

金锋 ;

刘梅 .

中国专利 :CN103165672A ,2013-06-19

[3]

一种MOS器件及其制备方法 [P].

刘洋 ;

李琦琦 ;

李婷 ;

周文鑫 ;

马梦辉 .

中国专利 :CN119545884B ,2025-04-25

[4]

一种MOS器件及其制备方法 [P].

刘洋 ;

李琦琦 ;

李婷 ;

周文鑫 ;

马梦辉 .

中国专利 :CN119545884A ,2025-02-28

[5]

一种MOS器件结构及其制备方法 [P].

黄晓橹 ;

张亮 ;

陈玉文 .

中国专利 :CN102306660A ,2012-01-04

[6]

一种SOI MOS器件及其制备方法 [P].

刘强 ;

俞文杰 .

中国专利 :CN116344624B ,2025-09-05

[7]

MOS器件制备方法 [P].

唐树澍 .

中国专利 :CN102637600A ,2012-08-15

[8]

MOS器件及其制备方法 [P].

李辉斌 ;

李理 ;

周璇 ;

宋旋坤 ;

陈铭杰 .

中国专利 :CN119069537B ,2025-03-07

[9]

MOS器件及其制备方法 [P].

李辉斌 ;

李理 ;

邱舜国 ;

郭国强 ;

孙兆泽 .

中国专利 :CN119069539A ,2024-12-03

[10]

MOS器件及其制备方法 [P].

李辉斌 ;

李理 ;

邱舜国 ;

郭国强 ;

孙兆泽 .

中国专利 :CN119069539B ,2025-03-04

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