一种SOI MOS器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310325989.2

申请日：

2023-03-29

公开(公告)号：

CN116344624B

公开(公告)日：

2025-09-05

发明(设计)人：

刘强俞文杰

申请人：

中国科学院上海微系统与信息技术研究所

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

H10D30/67

IPC分类号：

H10D30/01

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

余明伟

法律状态：

授权

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-05	授权	授权

共 50 条

[1]

MOS器件及其制备方法 [P].

邱慈云 ;

朱东园 ;

范永洁 ;

钱文生 ;

徐向明 ;

肖胜安 ;

陈帆 ;

刘鹏 ;

陈雄斌 ;

潘嘉 ;

刘冬华 ;

孙娟 ;

袁媛 ;

吴智勇 ;

黄志刚 ;

王雷 ;

郭晓波 ;

孟鸿林 ;

苏波 ;

季伟 ;

程晓华 ;

钱志刚 ;

陈福成 ;

刘继全 ;

孙勤 ;

金锋 ;

刘梅 .

中国专利 :CN103165671A ,2013-06-19

[2]

一种SOI和基于SOI的MOS器件及其制作方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103094177A ,2013-05-08

[3]

一种MOS器件及其制备方法 [P].

张新 ;

赵龙杰 ;

郑芳 ;

刘洋 ;

肖立 .

中国专利 :CN119317130A ,2025-01-14

[4]

一种MOS器件及其制备方法 [P].

刘洋 ;

李琦琦 ;

李婷 ;

周文鑫 ;

马梦辉 .

中国专利 :CN119545884A ,2025-02-28

[5]

一种MOS器件及其制备方法 [P].

刘洋 ;

李琦琦 ;

李婷 ;

周文鑫 ;

马梦辉 .

中国专利 :CN119545884B ,2025-04-25

[6]

一种SOI MOS器件及其制作方法 [P].

陈静 ;

何伟伟 ;

罗杰馨 ;

王曦 .

中国专利 :CN106952954A ,2017-07-14

[7]

一种MOS器件结构及其制备方法 [P].

黄晓橹 ;

张亮 ;

陈玉文 .

中国专利 :CN102306660A ,2012-01-04

[8]

一种SOI器件及其制备方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN105826233A ,2016-08-03

[9]

MOS器件及其制造方法 [P].

邱慈云 ;

朱东园 ;

范永洁 ;

钱文生 ;

徐向明 ;

肖胜安 ;

陈帆 ;

刘鹏 ;

陈雄斌 ;

潘嘉 ;

刘冬华 ;

孙娟 ;

袁媛 ;

吴智勇 ;

黄志刚 ;

王雷 ;

郭晓波 ;

孟鸿林 ;

苏波 ;

季伟 ;

程晓华 ;

钱志刚 ;

陈福成 ;

刘继全 ;

孙勤 ;

金锋 ;

刘梅 .

中国专利 :CN103165652A ,2013-06-19

[10]

基于内嵌空腔SOI衬底的多栅MOS器件及其制备方法 [P].

母志强 ;

刘强 ;

俞文杰 .

中国专利 :CN113471213B ,2021-10-01

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