一种MOS器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510106271.3

申请日：

2025-01-23

公开(公告)号：

CN119545884A

公开(公告)日：

2025-02-28

发明(设计)人：

刘洋李琦琦李婷周文鑫马梦辉

申请人：

合肥晶合集成电路股份有限公司

申请人地址：

230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号

IPC主分类号：

H10D64/27

IPC分类号：

H10D30/60 H10D30/01 H10D64/01

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

宋艳

法律状态：

公开

国省代码：

天津市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-28	公开	公开
2025-04-25	授权	授权
2025-03-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 64/27申请日:20250123

共 50 条

[1]

一种MOS器件及其制备方法 [P].

刘洋 ;

李琦琦 ;

李婷 ;

周文鑫 ;

马梦辉 .

中国专利 :CN119545884B ,2025-04-25

[2]

MOS器件及其制备方法 [P].

邱慈云 ;

朱东园 ;

范永洁 ;

钱文生 ;

徐向明 ;

肖胜安 ;

陈帆 ;

刘鹏 ;

陈雄斌 ;

潘嘉 ;

刘冬华 ;

孙娟 ;

袁媛 ;

吴智勇 ;

黄志刚 ;

王雷 ;

郭晓波 ;

孟鸿林 ;

苏波 ;

季伟 ;

程晓华 ;

钱志刚 ;

陈福成 ;

刘继全 ;

孙勤 ;

金锋 ;

刘梅 .

中国专利 :CN103165671A ,2013-06-19

[3]

MOS器件制备方法 [P].

唐树澍 .

中国专利 :CN102637600A ,2012-08-15

[4]

MOS器件及其制备方法 [P].

李辉斌 ;

李理 ;

郭国强 ;

宋旋坤 ;

陈铭杰 ;

周璇 .

中国专利 :CN118866974A ,2024-10-29

[5]

MOS器件及其制备方法 [P].

李辉斌 ;

李理 ;

郭国强 ;

宋旋坤 ;

陈铭杰 ;

周璇 .

中国专利 :CN118866974B ,2024-12-31

[6]

一种SOI MOS器件及其制备方法 [P].

刘强 ;

俞文杰 .

中国专利 :CN116344624B ,2025-09-05

[7]

MOS器件及其制造方法 [P].

邱慈云 ;

朱东园 ;

范永洁 ;

钱文生 ;

徐向明 ;

肖胜安 ;

陈帆 ;

刘鹏 ;

陈雄斌 ;

潘嘉 ;

刘冬华 ;

孙娟 ;

袁媛 ;

吴智勇 ;

黄志刚 ;

王雷 ;

郭晓波 ;

孟鸿林 ;

苏波 ;

季伟 ;

程晓华 ;

钱志刚 ;

陈福成 ;

刘继全 ;

孙勤 ;

金锋 ;

刘梅 .

中国专利 :CN103165652A ,2013-06-19

[8]

一种MOS器件及其形成方法 [P].

王岩 ;

吴卓杰 ;

唐凌 ;

丁文凤 ;

覃庆媛 ;

谭发龙 ;

成悦兴 .

中国专利 :CN118335802B ,2024-09-06

[9]

一种沟槽MOS器件及其制造方法 [P].

魏炜 ;

周永振 ;

杜丽华 .

中国专利 :CN120751730A ,2025-10-03

[10]

一种MOS器件及其形成方法 [P].

王岩 ;

吴卓杰 ;

唐凌 ;

丁文凤 ;

覃庆媛 ;

谭发龙 ;

成悦兴 .

中国专利 :CN118335802A ,2024-07-12

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