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一种沟槽MOS器件及其制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510929984.X
申请日：
2025-07-07
公开(公告)号：
CN120751730A
公开(公告)日：
2025-10-03
发明(设计)人：
魏炜 周永振 杜丽华
申请人：
万芯半导体（宁波）有限公司
申请人地址：
315000 浙江省宁波市海曙区启文路157弄6号8幢CK134室
IPC主分类号：
H10D30/60
IPC分类号：
H10D30/01 H10D64/27
代理机构：
深圳市海盛达知识产权代理事务所(普通合伙) 44540
代理人：
薛峰
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-10-03 公开 公开
2025-10-24 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/60申请日:20250707
共 50 条
[1]
一种沟槽型MOS器件及其制造方法 [P]. 
蒋正洋 .
中国专利 :CN108962989B ,2018-12-07
[2]
一种沟槽型MOS器件及其制造方法 [P]. 
吴迪 ;
陈其光 ;
王特 .
中国专利 :CN120825990A ,2025-10-21
[3]
沟槽MOS器件 [P]. 
张朝阳 ;
殷建斐 .
中国专利 :CN102110687B ,2011-06-29
[4]
屏蔽栅沟槽型MOS器件及其制造方法 [P]. 
王登 ;
徐西贤 ;
阚志国 .
中国专利 :CN117790292A ,2024-03-29
[5]
屏蔽栅沟槽型MOS器件的制造方法 [P]. 
李艳旭 .
中国专利 :CN113327860B ,2021-08-31
[6]
一种深沟槽大功率MOS器件及其制造方法 [P]. 
李建文 ;
陈志伟 .
中国专利 :CN1877856A ,2006-12-13
[7]
一种沟槽型MOS器件结构及其制造方法 [P]. 
李雪梅 .
中国专利 :CN109004030A ,2018-12-14
[8]
一种沟槽分离栅MOS器件的制造方法 [P]. 
赵大国 .
中国专利 :CN109872950A ,2019-06-11
[9]
沟槽功率MOS器件及其制造方法 [P]. 
吴晶 ;
左燕丽 .
中国专利 :CN103165669A ,2013-06-19
[10]
DDD MOS器件结构及其制造方法 [P]. 
段文婷 .
中国专利 :CN106169506A ,2016-11-30
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