沟槽MOS器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910202044.1

申请日：

2009-12-24

公开(公告)号：

CN102110687B

公开(公告)日：

2011-06-29

发明(设计)人：

张朝阳殷建斐

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L2706

IPC分类号：

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

顾继光

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-06-29	公开	公开
2011-08-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101096119086 IPC(主分类):H01L 27/06 专利申请号:2009102020441 申请日:20091224
2013-06-12	授权	授权
2014-02-05	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移变更事项:专利权人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140108 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101689526207 IPC(主分类):H01L 27/06 专利号:ZL2009102020441

共 50 条

[1]

一种沟槽MOS器件及其制造方法 [P].

魏炜 ;

周永振 ;

杜丽华 .

中国专利 :CN120751730A ,2025-10-03

[2]

屏蔽栅沟槽型MOS器件的制造方法 [P].

李艳旭 .

中国专利 :CN113327860B ,2021-08-31

[3]

沟槽型MOS器件中沟槽栅的制备方法 [P].

郭晓波 .

中国专利 :CN104576346B ,2015-04-29

[4]

一种沟槽型MOS器件及其制造方法 [P].

蒋正洋 .

中国专利 :CN108962989B ,2018-12-07

[5]

沟槽式MOS器件 [P].

陈译 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN213366600U ,2021-06-04

[6]

屏蔽栅沟槽型MOS器件及其制造方法 [P].

王登 ;

徐西贤 ;

阚志国 .

中国专利 :CN117790292A ,2024-03-29

[7]

应用于沟槽型MOS器件的沟槽栅及其制备方法 [P].

郭晓波 ;

胡荣星 .

中国专利 :CN104282543A ,2015-01-14

[8]

沟槽型MOS器件中沟槽底部形成屏蔽膜层的方法 [P].

陈正嵘 .

中国专利 :CN105702570A ,2016-06-22

[9]

应用于沟槽型MOS器件的沟槽栅的制备方法 [P].

郭晓波 ;

孟鸿林 .

中国专利 :CN103839791B ,2014-06-04

[10]

高单胞密度沟槽MOS器件 [P].

刘伟 ;

王凡 .

中国专利 :CN202373586U ,2012-08-08

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