高单胞密度沟槽MOS器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201120508231.5

申请日：

2011-12-08

公开(公告)号：

CN202373586U

公开(公告)日：

2012-08-08

发明(设计)人：

刘伟王凡

申请人：

申请人地址：

215011 江苏省苏州市工业园区星湖街328号2-B501单元

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2910

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司 32103

代理人：

马明渡

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-08-08	授权	授权
2020-11-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20111208 授权公告日:20120808 终止日期:20191208

共 50 条

[1]

具有超高元胞密度的深沟槽功率MOS器件 [P].

朱袁正 ;

冷德武 .

中国专利 :CN204375758U ,2015-06-03

[2]

超高元胞密度深沟槽功率MOS器件 [P].

朱袁正 ;

秦旭光 ;

丁磊 .

中国专利 :CN202384343U ,2012-08-15

[3]

沟槽MOS器件 [P].

张朝阳 ;

殷建斐 .

中国专利 :CN102110687B ,2011-06-29

[4]

具有超高元胞密度的深沟槽功率MOS器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

冷德武 .

中国专利 :CN104576743A ,2015-04-29

[5]

沟槽型MOS器件 [P].

李振道 ;

孙明光 .

中国专利 :CN214411207U ,2021-10-15

[6]

沟槽式MOS器件 [P].

陈译 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN213366600U ,2021-06-04

[7]

沟槽功率MOS器件 [P].

黄彦智 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN207624702U ,2018-07-17

[8]

单胞中集成肖特基二极管的沟槽MOS器件 [P].

刘伟 ;

王凡 ;

程义川 .

中国专利 :CN201663162U ,2010-12-01

[9]

高密度低压沟槽功率MOS器件 [P].

周祥瑞 ;

冷德武 ;

王毅 .

中国专利 :CN206250199U ,2017-06-13

[10]

高速的沟槽MOS器件 [P].

徐吉程 ;

袁力鹏 ;

范玮 .

中国专利 :CN206134681U ,2017-04-26

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