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一种沟槽型MOS器件及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202511267810.8
申请日：
2025-09-05
公开(公告)号：
CN120825990A
公开(公告)日：
2025-10-21
发明(设计)人：
吴迪
陈其光
王特
申请人：
湖南杰楚微半导体科技有限公司
申请人地址：
410000 湖南省长沙市高新开发区青山西路60号
IPC主分类号：
H10D30/60
IPC分类号：
H10D30/01
H10D64/27
H10D64/01
H01L21/316
H01L21/318
H01L21/311
代理机构：
长沙轩荣专利代理有限公司 43235
代理人：
丛诗洋
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-10-21 | 公开 | 公开 |
| 2025-11-07 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/60申请日:20250905 |