沟槽型MOS器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010096649.3

申请日：

2020-02-17

公开(公告)号：

CN111276542B

公开(公告)日：

2020-06-12

发明(设计)人：

余健刘金磊

申请人：

申请人地址：

312000 浙江省绍兴市皋埠镇临江路518号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336 H01L29423 H01L21683

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

曹廷廷

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-09	授权	授权
2021-08-17	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 29/78 变更事项:申请人变更前:中芯集成电路制造（绍兴）有限公司变更后:绍兴中芯集成电路制造股份有限公司变更事项:地址变更前:312000 浙江省绍兴市皋埠镇临江路518号变更后:312000 浙江省绍兴市皋埠镇临江路518号
2020-06-12	公开	公开
2020-07-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20200217

共 50 条

[1]

沟槽型MOS器件及其制造方法 [P].

王登 ;

何云 ;

袁家贵 ;

蒋平 .

中国专利 :CN115020476A ,2022-09-06

[2]

沟槽型MOS器件及其制造方法 [P].

李翔 ;

谢志平 ;

丛茂杰 ;

梁新颖 .

中国专利 :CN114695518B ,2022-07-01

[3]

复合型沟槽MOS器件及其制造方法 [P].

袁力鹏 ;

徐吉程 ;

范玮 .

中国专利 :CN107863341A ,2018-03-30

[4]

屏蔽栅沟槽型MOS器件及其制造方法 [P].

王登 ;

徐西贤 ;

阚志国 .

中国专利 :CN117790292A ,2024-03-29

[5]

一种沟槽型MOS器件结构及其制造方法 [P].

李雪梅 .

中国专利 :CN109004030A ,2018-12-14

[6]

一种沟槽型MOS器件及其制造方法 [P].

蒋正洋 .

中国专利 :CN108962989B ,2018-12-07

[7]

一种沟槽型MOS器件及其制造方法 [P].

吴迪 ;

陈其光 ;

王特 .

中国专利 :CN120825990A ,2025-10-21

[8]

沟槽型MOS器件 [P].

李振道 ;

孙明光 .

中国专利 :CN214411207U ,2021-10-15

[9]

高速的沟槽MOS器件及其制造方法 [P].

徐吉程 ;

袁力鹏 ;

范玮 .

中国专利 :CN106328647B ,2017-01-11

[10]

增强型分离栅沟槽MOS器件及其制造方法 [P].

袁秉荣 ;

陈佳旅 ;

王海强 ;

何昌 ;

蒋礼聪 .

中国专利 :CN114420565A ,2022-04-29

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