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沟槽型MOS器件及其制造方法
被引：0
申请号：
CN202210618553.8
申请日：
2022-06-02
公开(公告)号：
CN114695518B
公开(公告)日：
2022-07-01
发明(设计)人：
李翔
谢志平
丛茂杰
梁新颖
申请人：
申请人地址：
312000 浙江省绍兴市越城区皋埠镇临江路508号
IPC主分类号：
H01L2906
IPC分类号：
H01L2978
H01L21336
代理机构：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人：
曹廷廷
法律状态：
专利申请权、专利权的转移
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-07-15 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 29/06 登记生效日:20220705 变更事项:申请人 变更前权利人:绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 变更后权利人:中芯越州集成电路制造（绍兴）有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:312000 浙江省绍兴市越城区皋埠镇临江路518号 变更后权利人:312000 浙江省绍兴市越城区皋埠镇临江路508号 |
| 2022-07-01 | 公开 | 公开 |
| 2022-07-19 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20220602 |
| 2022-08-26 | 授权 | 授权 |