沟槽型MOS器件及其制造方法

被引：0

申请号：

CN202210813829.8

申请日：

2022-07-11

公开(公告)号：

CN115020476A

公开(公告)日：

2022-09-06

发明(设计)人：

王登何云袁家贵蒋平

申请人：

申请人地址：

312000 浙江省绍兴市越城区皋埠镇临江路518号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2978 H01L29423 H01L21336

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

周耀君

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-06	公开	公开
2022-09-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20220711

共 50 条

[1]

沟槽型MOS器件及其制造方法 [P].

李翔 ;

谢志平 ;

丛茂杰 ;

梁新颖 .

中国专利 :CN114695518B ,2022-07-01

[2]

沟槽型MOS器件及其制造方法 [P].

余健 ;

刘金磊 .

中国专利 :CN111276542B ,2020-06-12

[3]

复合型沟槽MOS器件及其制造方法 [P].

袁力鹏 ;

徐吉程 ;

范玮 .

中国专利 :CN107863341A ,2018-03-30

[4]

增强型分离栅沟槽MOS器件及其制造方法 [P].

袁秉荣 ;

陈佳旅 ;

王海强 ;

何昌 ;

蒋礼聪 .

中国专利 :CN114420565A ,2022-04-29

[5]

MOS器件及其制造方法 [P].

张鹏 .

中国专利 :CN120583714A ,2025-09-02

[6]

一种沟槽型MOS器件及其制造方法 [P].

蒋正洋 .

中国专利 :CN108962989B ,2018-12-07

[7]

高速的沟槽MOS器件及其制造方法 [P].

徐吉程 ;

袁力鹏 ;

范玮 .

中国专利 :CN106328647B ,2017-01-11

[8]

屏蔽栅沟槽型MOS器件及其制造方法 [P].

王登 ;

徐西贤 ;

阚志国 .

中国专利 :CN117790292A ,2024-03-29

[9]

沟槽型MOS器件及其形成方法 [P].

马晋渝 .

中国专利 :CN120282478A ,2025-07-08

[10]

MOS器件及其制造方法 [P].

徐瑞璋 ;

朱奎 ;

常冰岩 ;

鲁林芝 ;

李乐 .

中国专利 :CN120184007A ,2025-06-20

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