高速的沟槽MOS器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610935013.7

申请日：

2016-11-01

公开(公告)号：

CN106328647B

公开(公告)日：

2017-01-11

发明(设计)人：

徐吉程袁力鹏范玮

申请人：

申请人地址：

710000 陕西省西安市经济技术开发区草滩生态产业园尚稷路8928号

IPC主分类号：

H01L2707

IPC分类号：

H01L2978 H01L218249

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

郭永丽

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-02-16	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 27/07 登记生效日:20180130 变更事项:申请人变更前权利人:西安后羿半导体科技有限公司变更后权利人:西安华羿微电子股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:710018 陕西省西安市雁塔区永松路18号秋涛阁1幢40501室变更后权利人:710000 陕西省西安市经济技术开发区草滩生态产业园尚稷路8928号
2017-01-11	公开	公开
2017-02-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101702043713 IPC(主分类):H01L 27/07 专利申请号:2016109350137 申请日:20161101
2018-11-27	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 27/07 变更事项:申请人变更前:西安华羿微电子股份有限公司变更后:华羿微电子股份有限公司变更事项:地址变更前:710000 陕西省西安市经济技术开发区草滩生态产业园尚稷路8928号变更后:710000 陕西省西安市经济技术开发区草滩生态产业园尚稷路8928号
2019-05-03	授权	授权

共 50 条

[1]

高速的沟槽MOS器件 [P].

徐吉程 ;

袁力鹏 ;

范玮 .

中国专利 :CN206134681U ,2017-04-26

[2]

复合型沟槽MOS器件及其制造方法 [P].

袁力鹏 ;

徐吉程 ;

范玮 .

中国专利 :CN107863341A ,2018-03-30

[3]

集成TMBS结构的沟槽MOS器件及其制造方法 [P].

袁力鹏 ;

徐吉程 ;

宁波 .

中国专利 :CN107863386A ,2018-03-30

[4]

一种复合型沟槽MOS器件 [P].

袁力鹏 ;

徐吉程 ;

范玮 .

中国专利 :CN207199624U ,2018-04-06

[5]

一种集成TMBS结构的沟槽MOS器件 [P].

袁力鹏 ;

徐吉程 ;

宁波 .

中国专利 :CN207303110U ,2018-05-01

[6]

平面MOS器件及其制造方法 [P].

袁力鹏 ;

徐吉程 ;

宁波 .

中国专利 :CN107863343A ,2018-03-30

[7]

单胞中集成肖特基二极管的沟槽MOS器件及制造方法 [P].

刘伟 ;

王凡 ;

程义川 .

中国专利 :CN101853852B ,2010-10-06

[8]

沟槽MOS器件及沟槽MOS器件的制备方法 [P].

李辉斌 ;

李理 ;

陈铭杰 ;

钟泳生 ;

周天彪 ;

陈慧 .

中国专利 :CN118763121A ,2024-10-11

[9]

沟槽MOS器件及沟槽MOS器件的制备方法 [P].

李理 .

中国专利 :CN119300407A ,2025-01-10

[10]

沟槽MOS器件及沟槽MOS器件的制备方法 [P].

李辉斌 ;

李理 ;

陈铭杰 ;

钟泳生 ;

周天彪 ;

陈慧 .

中国专利 :CN118763121B ,2024-12-31

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