平面MOS器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710826805.5

申请日：

2017-09-14

公开(公告)号：

CN107863343A

公开(公告)日：

2018-03-30

发明(设计)人：

袁力鹏徐吉程宁波

申请人：

申请人地址：

710000 陕西省西安市经济技术开发区草滩生态产业园尚稷路8928号

IPC主分类号：

H01L27088

IPC分类号：

H01L218234

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-04-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/088 申请日:20170914
2018-03-30	公开	公开
2019-02-12	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 27/088 变更事项:申请人变更前:西安华羿微电子股份有限公司变更后:华羿微电子股份有限公司变更事项:地址变更前:710000 陕西省西安市经济技术开发区草滩生态产业园尚稷路8928号变更后:710000 陕西省西安市经济技术开发区草滩生态产业园尚稷路8928号

共 50 条

[1]

超结MOS器件及其制造方法 [P].

袁力鹏 ;

徐吉程 ;

宁波 .

中国专利 :CN107863378A ,2018-03-30

[2]

一种平面MOS器件 [P].

袁力鹏 ;

徐吉程 ;

宁波 .

中国专利 :CN207303091U ,2018-05-01

[3]

高速的沟槽MOS器件及其制造方法 [P].

徐吉程 ;

袁力鹏 ;

范玮 .

中国专利 :CN106328647B ,2017-01-11

[4]

MOS器件及其制造方法 [P].

张鹏 .

中国专利 :CN120583714A ,2025-09-02

[5]

Trench MOS器件及其制造方法 [P].

周东飞 ;

钟圣荣 ;

张朝宽 ;

冒晶晶 ;

柯俊吉 ;

刘欢 ;

葛景涛 ;

钟子期 ;

曹荣荣 .

中国专利 :CN117672852A ,2024-03-08

[6]

MOS器件及其制造方法 [P].

徐瑞璋 ;

朱奎 ;

常冰岩 ;

鲁林芝 ;

李乐 .

中国专利 :CN120184007A ,2025-06-20

[7]

MOS器件及其制造方法 [P].

赵晓燕 ;

陈政 .

中国专利 :CN115548126A ,2022-12-30

[8]

平面型功率MOS器件及其制造方法 [P].

殷允超 ;

丁磊 .

中国专利 :CN103779415B ,2014-05-07

[9]

复合型沟槽MOS器件及其制造方法 [P].

袁力鹏 ;

徐吉程 ;

范玮 .

中国专利 :CN107863341A ,2018-03-30

[10]

沟槽型MOS器件及其制造方法 [P].

王登 ;

何云 ;

袁家贵 ;

蒋平 .

中国专利 :CN115020476A ,2022-09-06

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