MOS器件及其制造方法

被引：0

申请号：

CN202211534180.2

申请日：

2022-12-02

公开(公告)号：

CN115548126A

公开(公告)日：

2022-12-30

发明(设计)人：

赵晓燕陈政

申请人：

申请人地址：

312000 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2910 H01L21336

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

郑星

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20221202
2022-12-30	公开	公开

共 50 条

[1]

MOS器件及其制造方法 [P].

徐瑞璋 ;

朱奎 ;

常冰岩 ;

鲁林芝 ;

李乐 .

中国专利 :CN120184007A ,2025-06-20

[2]

MOS器件及其制造方法 [P].

张鹏 .

中国专利 :CN120583714A ,2025-09-02

[3]

MOS器件结构及其制造方法 [P].

洪中山 ;

蒲贤勇 .

中国专利 :CN101202247A ,2008-06-18

[4]

MOS器件及其制造方法、以及ESD防护电路 [P].

刘琪 .

中国专利 :CN113097306A ,2021-07-09

[5]

沟槽型MOS器件及其制造方法 [P].

王登 ;

何云 ;

袁家贵 ;

蒋平 .

中国专利 :CN115020476A ,2022-09-06

[6]

MOS器件的制造方法 [P].

孙正焕 .

中国专利 :CN1183637A ,1998-06-03

[7]

MOS器件的制造方法 [P].

汪韬 ;

唐小亮 .

中国专利 :CN110867412B ,2020-03-06

[8]

平面MOS器件及其制造方法 [P].

袁力鹏 ;

徐吉程 ;

宁波 .

中国专利 :CN107863343A ,2018-03-30

[9]

功率MOS器件及其制造方法 [P].

宋金星 ;

谢志平 .

中国专利 :CN110739344A ,2020-01-31

[10]

Trench MOS器件及其制造方法 [P].

周东飞 ;

钟圣荣 ;

张朝宽 ;

冒晶晶 ;

柯俊吉 ;

刘欢 ;

葛景涛 ;

钟子期 ;

曹荣荣 .

中国专利 :CN117672852A ,2024-03-08

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