MOS器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911136246.0

申请日：

2019-11-19

公开(公告)号：

CN110867412B

公开(公告)日：

2020-03-06

发明(设计)人：

汪韬唐小亮

申请人：

申请人地址：

201315 上海市浦东新区良腾路6号

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

H01L27088 H01L2906

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

曹廷廷

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-03-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8234 申请日:20191119
2020-03-06	公开	公开
2022-06-03	授权	授权

共 50 条

[1]

MOS器件的制造方法 [P].

孙正焕 .

中国专利 :CN1183637A ,1998-06-03

[2]

一种MOS器件的制造方法 [P].

赵杰 .

中国专利 :CN104112664B ,2014-10-22

[3]

MOS器件和制造MOS器件的方法 [P].

塞巴斯蒂恩·尼坦克 .

中国专利 :CN101375399A ,2009-02-25

[4]

沟槽型MOS器件及其制造方法 [P].

王登 ;

何云 ;

袁家贵 ;

蒋平 .

中国专利 :CN115020476A ,2022-09-06

[5]

MOS器件及其制造方法 [P].

徐瑞璋 ;

朱奎 ;

常冰岩 ;

鲁林芝 ;

李乐 .

中国专利 :CN120184007A ,2025-06-20

[6]

MOS器件及其制造方法 [P].

张鹏 .

中国专利 :CN120583714A ,2025-09-02

[7]

MOS器件及其制造方法 [P].

赵晓燕 ;

陈政 .

中国专利 :CN115548126A ,2022-12-30

[8]

MOS器件的制造方法 [P].

唐怡 ;

梁金娥 ;

奚裴 .

中国专利 :CN113223966A ,2021-08-06

[9]

MOS器件的检测方法及制造方法 [P].

张海洋 ;

俎永熙 ;

黄怡 ;

李国锋 .

中国专利 :CN102024726A ,2011-04-20

[10]

MOS器件结构及其制造方法 [P].

洪中山 ;

蒲贤勇 .

中国专利 :CN101202247A ,2008-06-18

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