MOS器件的检测方法及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910196204.6

申请日：

2009-09-23

公开(公告)号：

CN102024726A

公开(公告)日：

2011-04-20

发明(设计)人：

张海洋俎永熙黄怡李国锋

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2166

IPC分类号：

H01L21336 G01B1102 G01B1122

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

李丽

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/66 申请日:20090923 授权公告日:20120125 终止日期:20190923
2012-01-25	授权	授权
2011-06-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101077294407 IPC(主分类):H01L 21/66 专利申请号:2009101962046 申请日:20090923
2011-04-20	公开	公开

共 50 条

[1]

MOS器件的制造方法 [P].

孙正焕 .

中国专利 :CN1183637A ,1998-06-03

[2]

MOS器件的制造方法 [P].

汪韬 ;

唐小亮 .

中国专利 :CN110867412B ,2020-03-06

[3]

一种MOS器件的制造方法 [P].

赵杰 .

中国专利 :CN104112664B ,2014-10-22

[4]

MOS器件和制造MOS器件的方法 [P].

塞巴斯蒂恩·尼坦克 .

中国专利 :CN101375399A ,2009-02-25

[5]

MOS器件及其制造方法 [P].

徐瑞璋 ;

朱奎 ;

常冰岩 ;

鲁林芝 ;

李乐 .

中国专利 :CN120184007A ,2025-06-20

[6]

MOS器件及其制造方法 [P].

赵晓燕 ;

陈政 .

中国专利 :CN115548126A ,2022-12-30

[7]

MOS器件及其制造方法 [P].

张鹏 .

中国专利 :CN120583714A ,2025-09-02

[8]

MOS器件的制造方法 [P].

唐怡 ;

梁金娥 ;

奚裴 .

中国专利 :CN113223966A ,2021-08-06

[9]

MOS器件的检测方法及检测结构 [P].

韩岭 ;

戚务钱 ;

陈晓东 ;

雷晶晶 ;

张堤 .

中国专利 :CN114487797A ,2022-05-13

[10]

MOS器件结构及其制造方法 [P].

洪中山 ;

蒲贤勇 .

中国专利 :CN101202247A ,2008-06-18

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