MOS器件的检测方法及检测结构

被引：0

申请号：

CN202011257313.7

申请日：

2020-11-11

公开(公告)号：

CN114487797A

公开(公告)日：

2022-05-13

发明(设计)人：

韩岭戚务钱陈晓东雷晶晶张堤

申请人：

申请人地址：

518107 广东省深圳市光明新区塘家南路18号欣旺达

IPC主分类号：

G01R31327

IPC分类号：

G01K722

代理机构：

深圳市韦恩肯知识产权代理有限公司 44375

代理人：

李华双;黄昌平

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-13	公开	公开
2022-05-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 31/327 申请日:20201111

共 50 条

[1]

MOS器件的检测方法及制造方法 [P].

张海洋 ;

俎永熙 ;

黄怡 ;

李国锋 .

中国专利 :CN102024726A ,2011-04-20

[2]

MOS器件掺杂缺陷的检测方法 [P].

蔡建瓴 ;

杜建 ;

王德进 ;

张克云 ;

方浩 .

中国专利 :CN102054723B ,2011-05-11

[3]

改善MOS器件性能的方法及MOS器件结构 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN105742349B ,2016-07-06

[4]

一种沟槽MOS器件的缺陷检测方法 [P].

田宝 ;

任春晖 .

中国专利 :CN115578389A ,2023-01-06

[5]

MOS器件的制备方法及MOS器件 [P].

申占伟 ;

刘兴昉 ;

赵万顺 ;

王雷 ;

闫果果 ;

孙国胜 ;

曾一平 .

中国专利 :CN112117326B ,2020-12-22

[6]

半导体器件失配特性的检测结构及检测方法 [P].

甘正浩 ;

黄威森 .

中国专利 :CN103066060A ,2013-04-24

[7]

检测结构、检测方法及形成检测结构的方法 [P].

陈雷 ;

颜金国 ;

张启华 ;

廖炳隆 .

中国专利 :CN102122637A ,2011-07-13

[8]

光学器件的检测装置及检测方法 [P].

普特波夫·维拉帝莫 ;

赵成训 ;

李锡原 ;

李文九 ;

金洸秀 .

中国专利 :CN1904674A ,2007-01-31

[9]

发光器件的检测装置及检测方法 [P].

王成 ;

吴龙佳 .

中国专利 :CN117538020A ,2024-02-09

[10]

Trench MOS器件的制造方法及结构 [P].

黄晨 .

中国专利 :CN104752206A ,2015-07-01

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