MOS器件掺杂缺陷的检测方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910207783.X

申请日：

2009-10-30

公开(公告)号：

CN102054723B

公开(公告)日：

2011-05-11

发明(设计)人：

蔡建瓴杜建王德进张克云方浩

申请人：

申请人地址：

214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号

IPC主分类号：

H01L2166

IPC分类号：

H01L2100 G01Q3002 G01R3126

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

李丽

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-11-17	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/66 登记生效日:20171031 变更事项:专利权人变更前权利人:无锡华润上华半导体有限公司变更后权利人:无锡华润上华科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号变更后权利人:214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号变更事项:共同专利权人变更前权利人:无锡华润上华科技有限公司
2011-05-11	公开	公开
2011-06-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101081908897 IPC(主分类):H01L 21/66 专利申请号:200910207783X 申请日:20091030
2012-10-17	授权	授权

共 50 条

[1]

一种沟槽MOS器件的缺陷检测方法 [P].

田宝 ;

任春晖 .

中国专利 :CN115578389A ,2023-01-06

[2]

MOS器件的检测方法及检测结构 [P].

韩岭 ;

戚务钱 ;

陈晓东 ;

雷晶晶 ;

张堤 .

中国专利 :CN114487797A ,2022-05-13

[3]

半导体器件之重复缺陷的检测方法 [P].

范荣伟 ;

郭贤权 ;

倪棋梁 ;

龙吟 ;

陈宏璘 .

中国专利 :CN103065991B ,2013-04-24

[4]

MOS器件的检测方法及制造方法 [P].

张海洋 ;

俎永熙 ;

黄怡 ;

李国锋 .

中国专利 :CN102024726A ,2011-04-20

[5]

半导体器件的缺陷检测方法 [P].

林龙辉 ;

陈嘉云 ;

罗先得 .

中国专利 :CN1917162A ,2007-02-21

[6]

半导体器件的缺陷检测方法 [P].

陈金园 ;

曹文康 ;

黎智 ;

谭志辉 .

中国专利 :CN104851820A ,2015-08-19

[7]

半导体器件缺陷的检测方法 [P].

陈亚威 .

中国专利 :CN102569115B ,2012-07-11

[8]

一种MOS器件的掺杂方法 [P].

丛国芳 .

中国专利 :CN103594375B ,2014-02-19

[9]

半导体器件的缺陷检测方法 [P].

李成功 .

中国专利 :CN101295659B ,2008-10-29

[10]

一种MOS器件的掺杂方法 [P].

丛国芳 .

中国专利 :CN103617948A ,2014-03-05

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