一种MOS器件的掺杂方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310501100.8

申请日：

2013-10-22

公开(公告)号：

CN103594375B

公开(公告)日：

2014-02-19

发明(设计)人：

丛国芳

申请人：

申请人地址：

213300 江苏省常州市溧阳市溧城镇东门大街67号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21266

代理机构：

南京天翼专利代理有限责任公司 32112

代理人：

黄明哲

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-08-11	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101756955374 IPC(主分类):H01L 21/336 专利号:ZL2013105011008 登记生效日:20170724 变更事项:专利权人变更前权利人:溧阳市东大技术转移中心有限公司变更后权利人:溧阳市科技开发中心变更事项:地址变更前权利人:213300 江苏省常州市溧阳市溧城镇东门大街67号变更后权利人:213300 江苏省常州市溧阳市溧城镇东大街182号
2017-02-08	授权	授权
2014-03-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101580338327 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2013105011008 申请日:20131022
2014-02-19	公开	公开

共 50 条

[1]

一种MOS器件的掺杂方法 [P].

丛国芳 .

中国专利 :CN103617948A ,2014-03-05

[2]

MOS器件掺杂缺陷的检测方法 [P].

蔡建瓴 ;

杜建 ;

王德进 ;

张克云 ;

方浩 .

中国专利 :CN102054723B ,2011-05-11

[3]

一种MOS器件的制备方法 [P].

朱强雨 .

中国专利 :CN120199725A ,2025-06-24

[4]

一种抗辐照性能增强的超陡倒掺杂MOS器件 [P].

黄德涛 ;

刘文 ;

王思浩 ;

黄如 .

中国专利 :CN102194869B ,2011-09-21

[5]

MOS器件的制备方法 [P].

武浩 ;

蒙飞 ;

谭艳琼 .

中国专利 :CN115360144A ,2022-11-18

[6]

一种MOS器件版图设计方法、MOS器件版图及MOS器件 [P].

马琦赟 ;

雷郎成 ;

高炜祺 ;

詹勇 ;

王忠焰 ;

杜宇彬 ;

胡永菲 ;

刘林果 ;

文荟麟 .

中国专利 :CN119250005A ,2025-01-03

[7]

一种应变垂直MOS器件的制造方法 [P].

李尊朝 ;

苗治聪 ;

李昕怡 ;

张亮亮 .

中国专利 :CN103887178B ,2014-06-25

[8]

MOS器件的制备方法及MOS器件 [P].

申占伟 ;

刘兴昉 ;

赵万顺 ;

王雷 ;

闫果果 ;

孙国胜 ;

曾一平 .

中国专利 :CN112117326B ,2020-12-22

[9]

MOS器件和MOS器件的制备方法 [P].

李辉斌 ;

李理 ;

邱舜国 ;

宋旋坤 ;

刘颖聪 .

中国专利 :CN119698040A ,2025-03-25

[10]

MOS器件和制造MOS器件的方法 [P].

塞巴斯蒂恩·尼坦克 .

中国专利 :CN101375399A ,2009-02-25

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