半导体器件缺陷的检测方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201010603458.8
申请日
2010-12-23
公开(公告)号
CN102569115B
公开(公告)日
2012-07-11
发明(设计)人
陈亚威
申请人
申请人地址
214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号
IPC主分类号
H01L2166
IPC分类号
G01N2195
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
骆苏华
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件的缺陷检测结构、装置及其检测方法 [P]. 
郑仲馗 ;
朱月芹 ;
陈雷刚 ;
周柯 .
中国专利 :CN109560001B ,2019-04-02
[2]
半导体器件的制造方法 [P]. 
远藤真人 ;
荒井史隆 .
中国专利 :CN101145560B ,2008-03-19
[3]
半导体器件的缺陷检测方法 [P]. 
林龙辉 ;
陈嘉云 ;
罗先得 .
中国专利 :CN1917162A ,2007-02-21
[4]
半导体器件的缺陷检测方法 [P]. 
陈金园 ;
曹文康 ;
黎智 ;
谭志辉 .
中国专利 :CN104851820A ,2015-08-19
[5]
半导体器件的缺陷检测方法 [P]. 
李成功 .
中国专利 :CN101295659B ,2008-10-29
[6]
半导体器件失配特性的检测结构及检测方法 [P]. 
甘正浩 ;
黄威森 .
中国专利 :CN103066060A ,2013-04-24
[7]
半导体器件和半导体器件的制造方法 [P]. 
清水达雄 ;
山口豪 ;
西川幸江 .
中国专利 :CN1677691A ,2005-10-05
[8]
半导体器件和制造半导体器件的方法 [P]. 
塚本惠介 ;
三原龙善 .
中国专利 :CN103985673B ,2014-08-13
[9]
半导体器件和制造半导体器件的方法 [P]. 
真利子岳比郎 ;
冈本康宏 ;
长濑仙一郎 .
中国专利 :CN115642172A ,2023-01-24
[10]
半导体器件的制造方法和半导体器件 [P]. 
小森重树 .
中国专利 :CN1893002A ,2007-01-10