MOS器件及其制造方法、以及ESD防护电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110330027.7

申请日：

2021-03-27

公开(公告)号：

CN113097306A

公开(公告)日：

2021-07-09

发明(设计)人：

刘琪

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29423 H01L2906 H01L2702

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

熊永强

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-09	公开	公开
2021-07-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20210327

共 50 条

[1]

MOS器件及其制造方法 [P].

赵晓燕 ;

陈政 .

中国专利 :CN115548126A ,2022-12-30

[2]

MOS器件及其制造方法 [P].

张鹏 .

中国专利 :CN120583714A ,2025-09-02

[3]

MOS器件及其制造方法 [P].

徐瑞璋 ;

朱奎 ;

常冰岩 ;

鲁林芝 ;

李乐 .

中国专利 :CN120184007A ,2025-06-20

[4]

MOS器件结构及其制造方法 [P].

洪中山 ;

蒲贤勇 .

中国专利 :CN101202247A ,2008-06-18

[5]

Trench MOS器件及其制造方法 [P].

周东飞 ;

钟圣荣 ;

张朝宽 ;

冒晶晶 ;

柯俊吉 ;

刘欢 ;

葛景涛 ;

钟子期 ;

曹荣荣 .

中国专利 :CN117672852A ,2024-03-08

[6]

ESD器件制造方法、ESD器件以及电子设备 [P].

张昊 .

中国专利 :CN102623404B ,2012-08-01

[7]

超结MOS器件及其制造方法 [P].

袁力鹏 ;

徐吉程 ;

宁波 .

中国专利 :CN107863378A ,2018-03-30

[8]

沟槽型MOS器件及其制造方法 [P].

王登 ;

何云 ;

袁家贵 ;

蒋平 .

中国专利 :CN115020476A ,2022-09-06

[9]

MOS器件的制造方法 [P].

孙正焕 .

中国专利 :CN1183637A ,1998-06-03

[10]

MOS器件的制造方法 [P].

汪韬 ;

唐小亮 .

中国专利 :CN110867412B ,2020-03-06

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