单胞中集成肖特基二极管的沟槽MOS器件及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010159866.9

申请日：

2010-04-29

公开(公告)号：

CN101853852B

公开(公告)日：

2010-10-06

发明(设计)人：

刘伟王凡程义川

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州工业园区星湖街328号创意产业园2栋B2-501

IPC主分类号：

H01L2704

IPC分类号：

H01L23528 H01L2177

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司 32103

代理人：

马明渡

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-08-17	授权	授权
2010-11-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101017284028 IPC(主分类):H01L 27/04 专利申请号:2010101598669 申请日:20100429
2010-10-06	公开	公开

共 50 条

[1]

单胞中集成肖特基二极管的沟槽MOS器件 [P].

刘伟 ;

王凡 ;

程义川 .

中国专利 :CN201663162U ,2010-12-01

[2]

集成肖特基二极管的MOS器件的制造方法 [P].

周伟 ;

全冯溪 .

中国专利 :CN102945806B ,2013-02-27

[3]

一种自带肖特基二极管结构的沟槽MOS器件及制造方法 [P].

夏华忠 ;

诸建周 ;

李健 ;

黄传伟 .

中国专利 :CN113299644A ,2021-08-24

[4]

肖特基二极管器件及其制造方法 [P].

张帅 ;

李冰 .

中国专利 :CN102694033A ,2012-09-26

[5]

整合肖特基二极管的沟槽MOS功率器件及其制造工艺 [P].

陈宏 ;

张子敏 ;

王宇澄 ;

虞国新 .

中国专利 :CN113972203A ,2022-01-25

[6]

整合肖特基二极管的沟槽MOS功率器件及其制造工艺 [P].

陈宏 ;

张子敏 ;

王宇澄 ;

虞国新 .

中国专利 :CN113972203B ,2024-08-27

[7]

沟槽MOS型肖特基二极管 [P].

佐佐木公平 ;

东胁正高 .

中国专利 :CN110352498A ,2019-10-18

[8]

沟槽MOS型肖特基二极管 [P].

佐佐木公平 ;

东胁正高 .

中国专利 :CN109075214B ,2018-12-21

[9]

整合肖特基二极管的沟槽MOS功率器件 [P].

陈宏 ;

张子敏 ;

王宇澄 ;

虞国新 .

中国专利 :CN216311779U ,2022-04-15

[10]

集成肖特基二极管的功率MOSFET元胞及MOSFET器件 [P].

江顺达 ;

刘昊 ;

周莹莹 .

中国专利 :CN118610261A ,2024-09-06

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