沟槽MOS型肖特基二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880013976.9

申请日：

2018-02-27

公开(公告)号：

CN110352498A

公开(公告)日：

2019-10-18

发明(设计)人：

佐佐木公平东胁正高

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L29872

IPC分类号：

H01L2906 H01L2920 H01L2947

代理机构：

北京市隆安律师事务所 11323

代理人：

徐谦;刘宁军

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-10-18	公开	公开
2019-11-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/872 申请日:20180227

共 50 条

[1]

沟槽MOS型肖特基二极管 [P].

佐佐木公平 ;

东胁正高 .

中国专利 :CN109075214B ,2018-12-21

[2]

沟槽MOS型肖特基二极管及其制造方法 [P].

佐佐木公平 ;

藤田实 ;

平林润 ;

有马润 .

日本专利 :CN111801804B ,2024-03-15

[3]

沟槽MOS型肖特基二极管及其制造方法 [P].

佐佐木公平 ;

藤田实 ;

平林润 ;

有马润 .

中国专利 :CN111801804A ,2020-10-20

[4]

肖特基二极管 [P].

柴田大辅 ;

按田义治 .

中国专利 :CN103493205A ,2014-01-01

[5]

沟槽型MOS势垒肖特基二极管 [P].

郑柳 ;

孙国胜 ;

张峰 ;

刘兴昉 ;

王雷 ;

赵万顺 ;

闫果果 ;

董林 ;

刘胜北 ;

刘斌 ;

田丽欣 ;

曾一平 .

中国专利 :CN203434162U ,2014-02-12

[6]

多级沟槽肖特基二极管 [P].

袁俊 .

中国专利 :CN216488076U ,2022-05-10

[7]

沟槽肖特基二极管 [P].

余强 ;

焦伟 ;

桑雨果 ;

姚鑫 ;

张小辛 .

中国专利 :CN206878007U ,2018-01-12

[8]

肖特基二极管 [P].

马诺耶·梅赫罗特拉 .

中国专利 :CN112635319A ,2021-04-09

[9]

肖特基二极管 [P].

斯特凡·斯塔罗韦茨基 ;

奥尔加·克雷姆帕斯卡 ;

马丁·普雷德梅尔斯基 .

中国专利 :CN202549849U ,2012-11-21

[10]

MOS型肖特基二极管结构 [P].

王艳春 .

中国专利 :CN114695567A ,2022-07-01

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