沟槽MOS型肖特基二极管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980016365.4

申请日：

2019-02-25

公开(公告)号：

CN111801804A

公开(公告)日：

2020-10-20

发明(设计)人：

佐佐木公平藤田实平林润有马润

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L29872

IPC分类号：

C30B2916 C30B3308 H01L21329 H01L2941 H01L2947 H01L29861 H01L29868 H01L2994

代理机构：

北京市隆安律师事务所 11323

代理人：

徐谦;刘宁军

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/872 申请日:20190225
2020-10-20	公开	公开

共 50 条

[1]

沟槽MOS型肖特基二极管及其制造方法 [P].

佐佐木公平 ;

藤田实 ;

平林润 ;

有马润 .

日本专利 :CN111801804B ,2024-03-15

[2]

沟槽MOS型肖特基二极管 [P].

佐佐木公平 ;

东胁正高 .

中国专利 :CN110352498A ,2019-10-18

[3]

沟槽MOS型肖特基二极管 [P].

佐佐木公平 ;

东胁正高 .

中国专利 :CN109075214B ,2018-12-21

[4]

肖特基二极管及其制造方法 [P].

裴轶 ;

裴晓延 .

中国专利 :CN108493257A ,2018-09-04

[5]

沟槽型MOS结构肖特基二极管及其制备方法 [P].

王艳春 ;

周亮 .

中国专利 :CN111081754A ,2020-04-28

[6]

肖特基二极管及其制造方法 [P].

马克·杜斯金 ;

布兰卡·克鲁斯 .

中国专利 :CN100594590C ,2006-10-04

[7]

肖特基二极管及其制造方法 [P].

蒲贤勇 ;

程勇 ;

杨广立 ;

马千成 .

中国专利 :CN103456773B ,2016-03-16

[8]

沟槽型肖特基二极管及其制备方法 [P].

徐林海 ;

韩笑 ;

陈辰 ;

孟军 .

中国专利 :CN119584562A ,2025-03-07

[9]

结势垒肖特基二极管及其制造方法 [P].

高冢章夫 .

日本专利 :CN118435360A ,2024-08-02

[10]

肖特基二极管及其沟槽结构 [P].

谢洋 ;

梁勇 ;

黄雨挥 ;

廖凯霖 ;

彭安显 .

中国专利 :CN223714494U ,2025-12-23

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