肖特基二极管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210174594.9

申请日：

2012-05-30

公开(公告)号：

CN103456773B

公开(公告)日：

2016-03-16

发明(设计)人：

蒲贤勇程勇杨广立马千成

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L29872 H01L2128 H01L21329

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-01-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101562730795 IPC(主分类):H01L 29/423 专利申请号:2012101745949 申请日:20120530
2016-03-16	授权	授权

共 50 条

[1]

肖特基二极管及其制造方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN109411346A ,2019-03-01

[2]

肖特基二极管及其制造方法 [P].

汪洋 .

中国专利 :CN102683431A ,2012-09-19

[3]

肖特基二极管及其制造方法 [P].

马克·杜斯金 ;

布兰卡·克鲁斯 .

中国专利 :CN100594590C ,2006-10-04

[4]

肖特基二极管及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN105576014A ,2016-05-11

[5]

肖特基二极管及其制造方法 [P].

裴轶 ;

裴晓延 .

中国专利 :CN108493257A ,2018-09-04

[6]

一种肖特基二极管及其制造方法 [P].

汪铭 ;

程勇 ;

曹国豪 ;

马千成 ;

滕丽华 .

中国专利 :CN104900718A ,2015-09-09

[7]

一种肖特基二极管及其制造方法 [P].

张兴来 ;

李春霞 ;

陈朝伟 ;

曾爱平 ;

陈宇 .

中国专利 :CN103094358A ,2013-05-08

[8]

肖特基二极管及其形成方法 [P].

穆罕默德·T·库杜斯 ;

杜尚晖 ;

A·罗斯帕尔 .

中国专利 :CN101315952B ,2008-12-03

[9]

肖特基二极管及肖特基二极管的制备方法 [P].

王国峰 ;

李京兵 ;

石晓宇 .

中国专利 :CN114709252A ,2022-07-05

[10]

肖特基二极管及其制备方法 [P].

刘新科 ;

利健 ;

林峰 ;

陈勇 ;

贺威 ;

宋利军 ;

吕有明 .

中国专利 :CN112466926A ,2021-03-09

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