肖特基二极管及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810097192.7

申请日：

2008-05-19

公开(公告)号：

CN101315952B

公开(公告)日：

2008-12-03

发明(设计)人：

穆罕默德·T·库杜斯杜尚晖 A·罗斯帕尔

申请人：

申请人地址：

美国亚利桑那

IPC主分类号：

H01L29872

IPC分类号：

H01L2706 H01L21329 H01L21822

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

康建忠

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-03-20	授权	授权
2010-06-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101003338103 IPC(主分类):H01L 29/872 专利申请号:2008100971927 申请日:20080519
2008-12-03	公开	公开
2013-09-11	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101657265353 IPC(主分类):H01L 29/872 专利申请号:2008100971927 变更事项:发明人变更前:穆罕默德·T·库杜斯;杜尚晖;A·罗斯帕尔变更后:穆罕默德·T·库杜斯;杜尚晖;A·罗斯帕尔;Z·豪森

共 50 条

[1]

肖特基二极管及其形成方法 [P].

苟鸿雁 ;

唐树澍 .

中国专利 :CN102789979A ,2012-11-21

[2]

肖特基二极管及其形成方法、半导体器件 [P].

陈达 .

中国专利 :CN107910380A ,2018-04-13

[3]

肖特基二极管及其形成方法 [P].

陈宗高 ;

陈轶群 ;

王海强 ;

蒲贤勇 .

中国专利 :CN105449005B ,2018-12-07

[4]

肖特基二极管及其制造方法 [P].

蒲贤勇 ;

程勇 ;

杨广立 ;

马千成 .

中国专利 :CN103456773B ,2016-03-16

[5]

肖特基二极管及其制造方法 [P].

马克·杜斯金 ;

布兰卡·克鲁斯 .

中国专利 :CN100594590C ,2006-10-04

[6]

肖特基二极管及其制备方法 [P].

吕元杰 ;

刘宏宇 ;

王元刚 ;

周幸叶 ;

宋旭波 ;

梁士雄 ;

谭鑫 ;

冯志红 ;

马春雷 ;

徐森峰 .

中国专利 :CN111129165A ,2020-05-08

[7]

肖特基二极管及肖特基二极管阵列 [P].

赵宇丹 ;

肖小阳 ;

王营城 ;

金元浩 ;

张天夫 ;

李群庆 .

中国专利 :CN108336090A ,2018-07-27

[8]

肖特基二极管及肖特基二极管阵列 [P].

赵宇丹 ;

肖小阳 ;

王营城 ;

金元浩 ;

张天夫 ;

李群庆 .

中国专利 :CN108336149B ,2018-07-27

[9]

肖特基二极管及其制作方法 [P].

柳志亨 .

中国专利 :CN102315281B ,2012-01-11

[10]

肖特基二极管及其制作方法 [P].

张怡 .

中国专利 :CN103839801A ,2014-06-04

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