肖特基二极管及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210301607.4

申请日：

2012-08-22

公开(公告)号：

CN102789979A

公开(公告)日：

2012-11-21

发明(设计)人：

苟鸿雁唐树澍

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L21329

IPC分类号：

H01L2906 H01L29872

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583993551 IPC(主分类):H01L 21/329 专利申请号:2012103016074 申请日:20120822
2012-11-21	公开	公开
2016-12-21	授权	授权
2014-04-30	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101700570268 IPC(主分类):H01L 21/329 专利申请号:2012103016074 变更事项:申请人变更前权利人:上海宏力半导体制造有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路1399号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140409

共 50 条

[1]

肖特基二极管及其形成方法 [P].

穆罕默德·T·库杜斯 ;

杜尚晖 ;

A·罗斯帕尔 .

中国专利 :CN101315952B ,2008-12-03

[2]

肖特基二极管及其形成方法 [P].

陈宗高 ;

陈轶群 ;

王海强 ;

蒲贤勇 .

中国专利 :CN105449005B ,2018-12-07

[3]

肖特基二极管及其制造方法 [P].

蒲贤勇 ;

程勇 ;

杨广立 ;

马千成 .

中国专利 :CN103456773B ,2016-03-16

[4]

肖特基二极管及其形成方法、半导体器件 [P].

陈达 .

中国专利 :CN107910380A ,2018-04-13

[5]

肖特基二极管及肖特基二极管阵列 [P].

赵宇丹 ;

肖小阳 ;

王营城 ;

金元浩 ;

张天夫 ;

李群庆 .

中国专利 :CN108336090A ,2018-07-27

[6]

肖特基二极管及肖特基二极管阵列 [P].

赵宇丹 ;

肖小阳 ;

王营城 ;

金元浩 ;

张天夫 ;

李群庆 .

中国专利 :CN108336149B ,2018-07-27

[7]

肖特基二极管及其制备方法、芯片 [P].

李培刚 .

中国专利 :CN114335193B ,2025-07-25

[8]

肖特基二极管及其制作方法 [P].

张怡 .

中国专利 :CN103839801A ,2014-06-04

[9]

一种沟槽肖特基二极管及其制备方法 [P].

蔡雨杉 ;

叶武阳 .

中国专利 :CN118315446B ,2024-08-06

[10]

肖特基二极管及其制备方法、芯片 [P].

李培刚 .

中国专利 :CN114335193A ,2022-04-12

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