肖特基二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280018873.4

申请日：

2012-04-26

公开(公告)号：

CN103493205A

公开(公告)日：

2014-01-01

发明(设计)人：

柴田大辅按田义治

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L2947

IPC分类号：

H01L29872

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

樊建中

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-09	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101741211930 IPC(主分类):H01L 29/47 专利申请号:2012800188734 申请公布日:20140101
2015-10-28	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101722196208 IPC(主分类):H01L 29/47 专利申请号:2012800188734 登记生效日:20150922 变更事项:申请人变更前权利人:松下电器产业株式会社变更后权利人:松下知识产权经营株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本大阪府变更后权利人:日本国大阪府
2014-01-01	公开	公开
2014-05-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582364634 IPC(主分类):H01L 29/47 专利申请号:2012800188734 申请日:20120426

共 50 条

[1]

肖特基二极管 [P].

马诺耶·梅赫罗特拉 .

中国专利 :CN112635319A ,2021-04-09

[2]

肖特基二极管 [P].

斯特凡·斯塔罗韦茨基 ;

奥尔加·克雷姆帕斯卡 ;

马丁·普雷德梅尔斯基 .

中国专利 :CN202549849U ,2012-11-21

[3]

沟槽MOS型肖特基二极管 [P].

佐佐木公平 ;

东胁正高 .

中国专利 :CN110352498A ,2019-10-18

[4]

沟槽MOS型肖特基二极管 [P].

佐佐木公平 ;

东胁正高 .

中国专利 :CN109075214B ,2018-12-21

[5]

底部阳极肖特基二极管 [P].

弗兰茨娃·赫尔伯特 .

中国专利 :CN103137712A ,2013-06-05

[6]

肖特基二极管及肖特基二极管阵列 [P].

赵宇丹 ;

肖小阳 ;

王营城 ;

金元浩 ;

张天夫 ;

李群庆 .

中国专利 :CN108336090A ,2018-07-27

[7]

肖特基二极管及肖特基二极管阵列 [P].

赵宇丹 ;

肖小阳 ;

王营城 ;

金元浩 ;

张天夫 ;

李群庆 .

中国专利 :CN108336149B ,2018-07-27

[8]

肖特基二极管、肖特基二极管阵列及肖特基二极管的制备方法 [P].

赵宇丹 ;

肖小阳 ;

王营城 ;

金元浩 ;

张天夫 ;

李群庆 .

中国专利 :CN108336151A ,2018-07-27

[9]

肖特基二极管、肖特基二极管阵列及肖特基二极管的制备方法 [P].

赵宇丹 ;

肖小阳 ;

王营城 ;

金元浩 ;

张天夫 ;

李群庆 .

中国专利 :CN108336150B ,2018-07-27

[10]

分段肖特基二极管 [P].

扎卡里·K·李 .

中国专利 :CN114695569A ,2022-07-01

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