集成肖特基二极管的MOS器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210375437.4

申请日：

2012-09-27

公开(公告)号：

CN102945806B

公开(公告)日：

2013-02-27

发明(设计)人：

周伟全冯溪

申请人：

申请人地址：

201210 上海市浦东新区张江高科高斯路497号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21329 H01L2706 H01L29872 H01L2978

代理机构：

上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275

代理人：

吴世华;林彦之

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-22	授权	授权
2013-02-27	公开	公开
2015-01-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101596321226 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2012103754374 申请日:20120927

共 50 条

[1]

肖特基二极管的制造方法 [P].

冯喆韻 ;

高大为 ;

朱虹 .

中国专利 :CN102024758A ,2011-04-20

[2]

具有集成的MOS选通的二极管或肖特基二极管的半导体器件 [P].

刘坚 ;

高琰 .

中国专利 :CN111223857A ,2020-06-02

[3]

具有集成的MOS选通的二极管或肖特基二极管的半导体器件 [P].

刘坚 ;

高琰 .

:CN111223857B ,2025-02-07

[4]

肖特基二极管、具有肖特基二极管的阻变存储器件及其制造方法 [P].

白承范 ;

李泳昊 ;

李镇九 ;

李美梨 .

中国专利 :CN102810554A ,2012-12-05

[5]

肖特基二极管及集成肖特基二极管的LDMOSFET [P].

罗泽煌 .

中国专利 :CN109873039B ,2019-06-11

[6]

肖特基二极管、集成肖特基二极管的LDMOSFET及其制造方法 [P].

宋亮 ;

安丽琪 ;

李永顺 ;

陈新倩 ;

刘新新 ;

罗琳 .

中国专利 :CN119153490A ,2024-12-17

[7]

在有源区接触沟槽中具有集成肖特基二极管的MOS器件 [P].

A·巴哈拉 ;

王晓彬 ;

潘继 ;

S-P·魏 .

中国专利 :CN101465374B ,2009-06-24

[8]

单胞中集成肖特基二极管的沟槽MOS器件 [P].

刘伟 ;

王凡 ;

程义川 .

中国专利 :CN201663162U ,2010-12-01

[9]

单胞中集成肖特基二极管的沟槽MOS器件及制造方法 [P].

刘伟 ;

王凡 ;

程义川 .

中国专利 :CN101853852B ,2010-10-06

[10]

肖特基二极管、肖特基二极管阵列及肖特基二极管的制备方法 [P].

赵宇丹 ;

肖小阳 ;

王营城 ;

金元浩 ;

张天夫 ;

李群庆 .

中国专利 :CN108336151A ,2018-07-27

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