在有源区接触沟槽中具有集成肖特基二极管的MOS器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810182319.5

申请日：

2008-11-21

公开(公告)号：

CN101465374B

公开(公告)日：

2009-06-24

发明(设计)人：

A·巴哈拉王晓彬潘继 S-P·魏

申请人：

申请人地址：

百慕大汉密尔顿

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

王茂华

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-01-05	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20081121 授权公告日:20110216 终止日期:20161121
2009-08-19	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-06-24	公开	公开
2011-02-16	授权	授权

共 50 条

[1]

集成肖特基二极管的MOS器件的制造方法 [P].

周伟 ;

全冯溪 .

中国专利 :CN102945806B ,2013-02-27

[2]

在源极接触沟槽中具有集成的伪肖特基二极管的功率MOSFET [P].

邓盛凌 .

中国专利 :CN110718546A ,2020-01-21

[3]

具有集成的MOS选通的二极管或肖特基二极管的半导体器件 [P].

刘坚 ;

高琰 .

中国专利 :CN111223857A ,2020-06-02

[4]

具有集成的MOS选通的二极管或肖特基二极管的半导体器件 [P].

刘坚 ;

高琰 .

:CN111223857B ,2025-02-07

[5]

单胞中集成肖特基二极管的沟槽MOS器件 [P].

刘伟 ;

王凡 ;

程义川 .

中国专利 :CN201663162U ,2010-12-01

[6]

沟槽MOS型肖特基二极管 [P].

佐佐木公平 ;

东胁正高 .

中国专利 :CN110352498A ,2019-10-18

[7]

沟槽MOS型肖特基二极管 [P].

佐佐木公平 ;

东胁正高 .

中国专利 :CN109075214B ,2018-12-21

[8]

具有低注入二极管的MOS器件 [P].

A·巴哈拉 ;

王晓彬 ;

潘继 ;

S-P·魏 .

中国专利 :CN101465376A ,2009-06-24

[9]

整合肖特基二极管的沟槽MOS功率器件 [P].

陈宏 ;

张子敏 ;

王宇澄 ;

虞国新 .

中国专利 :CN216311779U ,2022-04-15

[10]

高电压半导体器件中的集成肖特基二极管 [P].

管灵鹏 ;

安荷·叭剌 ;

马督儿·博德 ;

朱廷刚 .

中国专利 :CN102005452A ,2011-04-06

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