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集成肖特基二极管的MOS器件的制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201210375437.4
申请日：
2012-09-27
公开(公告)号：
CN102945806B
公开(公告)日：
2013-02-27
发明(设计)人：
周伟
全冯溪
申请人：
申请人地址：
201210 上海市浦东新区张江高科高斯路497号
IPC主分类号：
H01L21336
IPC分类号：
H01L21329
H01L2706
H01L29872
H01L2978
代理机构：
上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275
代理人：
吴世华;林彦之
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2018-06-22 | 授权 | 授权 |
| 2013-02-27 | 公开 | 公开 |
| 2015-01-21 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101596321226 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2012103754374 申请日:20120927 |