集成有肖特基二极管的功率MOS晶体管器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910201958.6

申请日：

2009-12-18

公开(公告)号：

CN102104026A

公开(公告)日：

2011-06-22

发明(设计)人：

孙效中张朝阳李江华房宝清

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L218249

IPC分类号：

H01L21265

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

丁纪铁

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-01-15	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101685693266 IPC(主分类):H01L 21/8249 专利号:ZL2009102019586 变更事项:专利权人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20131219
2011-08-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101094138894 IPC(主分类):H01L 21/8249 专利申请号:2009102019586 申请日:20091218
2011-06-22	公开	公开
2013-09-11	授权	授权

共 50 条

[1]

功率MOS晶体管内集成肖特基二极管的器件及制造方法 [P].

邵向荣 ;

魏炜 .

中国专利 :CN102088020A ,2011-06-08

[2]

功率MOS晶体管内集成肖特基二极管的工艺方法 [P].

邵向荣 ;

魏炜 .

中国专利 :CN102074508A ,2011-05-25

[3]

具有内集成二极管的功率MOS晶体管 [P].

吴郁 ;

雷婧 ;

张康 ;

宋金辉 ;

周新田 ;

王智勇 .

中国专利 :CN119947188A ,2025-05-06

[4]

集成有肖特基二极管的功率器件 [P].

唐纳徳·迪斯尼 .

中国专利 :CN202712186U ,2013-01-30

[5]

具有集成的肖特基二极管的功率晶体管 [P].

M·黑尔 ;

R·埃尔佩尔特 ;

C·莱恩德茨 .

中国专利 :CN114078973A ,2022-02-22

[6]

功率MOS晶体管与肖特基二极管的集成方法及结构 [P].

孙效中 ;

张朝阳 ;

李江华 ;

王凡 .

中国专利 :CN101752311A ,2010-06-23

[7]

集成肖特基二极管的氮化镓晶体管的制造方法 [P].

刘美华 ;

孙辉 ;

林信南 ;

陈建国 .

中国专利 :CN107104048A ,2017-08-29

[8]

集成有肖特基二极管的功率器件及其制造方法 [P].

唐纳德·迪斯尼 .

中国专利 :CN102751277A ,2012-10-24

[9]

有稳定双极晶体管和肖特基二极管的半导体器件制造方法 [P].

西田拓生 .

中国专利 :CN1155757A ,1997-07-30

[10]

集成肖特基二极管的MOS器件的制造方法 [P].

周伟 ;

全冯溪 .

中国专利 :CN102945806B ,2013-02-27

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