功率MOS晶体管与肖特基二极管的集成方法及结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810044126.3

申请日：

2008-12-17

公开(公告)号：

CN101752311A

公开(公告)日：

2010-06-23

发明(设计)人：

孙效中张朝阳李江华王凡

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L21822

IPC分类号：

H01L2706

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

丁纪铁

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-01-08	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101684694911 IPC(主分类):H01L 21/822 专利号:ZL2008100441263 变更事项:专利权人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20131216
2010-06-23	公开	公开
2012-04-18	授权	授权
2010-08-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101004903172 IPC(主分类):H01L 21/822 专利申请号:2008100441263 申请日:20081217

共 50 条

[1]

功率MOS晶体管内集成肖特基二极管的器件及制造方法 [P].

邵向荣 ;

魏炜 .

中国专利 :CN102088020A ,2011-06-08

[2]

功率MOS晶体管内集成肖特基二极管的工艺方法 [P].

邵向荣 ;

魏炜 .

中国专利 :CN102074508A ,2011-05-25

[3]

具有内集成二极管的功率MOS晶体管 [P].

吴郁 ;

雷婧 ;

张康 ;

宋金辉 ;

周新田 ;

王智勇 .

中国专利 :CN119947188A ,2025-05-06

[4]

集成有肖特基二极管的功率MOS晶体管器件的制造方法 [P].

孙效中 ;

张朝阳 ;

李江华 ;

房宝清 .

中国专利 :CN102104026A ,2011-06-22

[5]

具有集成的肖特基二极管的功率晶体管 [P].

M·黑尔 ;

R·埃尔佩尔特 ;

C·莱恩德茨 .

中国专利 :CN114078973A ,2022-02-22

[6]

整合肖特基二极管与功率晶体管于基材的制造方法 [P].

涂高维 .

中国专利 :CN102263059B ,2011-11-30

[7]

功率晶体管内集成肖特基二极管的器件及其形成方法 [P].

刘宪周 .

中国专利 :CN102324389A ,2012-01-18

[8]

肖特基二极管结构以及与III-V晶体管的集成 [P].

邓汉威 ;

P.费希尔 ;

W.哈菲斯 ;

M.拉多萨夫尔杰维奇 ;

S.达斯古普塔 .

中国专利 :CN110660870A ,2020-01-07

[9]

集成有肖特基二极管的绝缘栅双极晶体管结构及制备方法 [P].

金勤海 ;

陈正嵘 ;

徐俊杰 .

中国专利 :CN102931216B ,2013-02-13

[10]

PMOS晶体管与肖特基二极管的整合元件 [P].

黄志丰 .

中国专利 :CN101847634A ,2010-09-29

← 1 2 3 4 5 →