集成肖特基二极管的氮化镓晶体管的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610099350.7

申请日：

2016-02-23

公开(公告)号：

CN107104048A

公开(公告)日：

2017-08-29

发明(设计)人：

刘美华孙辉林信南陈建国

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区颐和园路5号

IPC主分类号：

H01L21335

IPC分类号：

H01L29778 H01L29872

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

马爽;黄健

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-08-29	公开	公开
2017-09-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101749362410 IPC(主分类):H01L 21/335 专利申请号:2016100993507 申请日:20160223
2020-12-04	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/335 申请公布日:20170829

共 50 条

[1]

氮化镓肖特基二极管的制造方法 [P].

刘美华 ;

孙辉 ;

林信南 ;

陈建国 .

中国专利 :CN107104047A ,2017-08-29

[2]

氮化镓肖特基二极管 [P].

江守权 .

中国专利 :CN212136453U ,2020-12-11

[3]

氮化镓肖特基二极管 [P].

郝茂盛 ;

袁根如 ;

张楠 .

中国专利 :CN212542440U ,2021-02-12

[4]

氮化镓肖特基二极管 [P].

刘丹 .

中国专利 :CN114864656A ,2022-08-05

[5]

氮化镓晶体管和氮化镓晶体管的制造方法 [P].

刘美华 ;

孙辉 ;

林信南 ;

陈建国 .

中国专利 :CN107230700A ,2017-10-03

[6]

氮化镓晶体管的制造方法 [P].

刘美华 ;

孙辉 ;

林信南 ;

陈建国 .

中国专利 :CN107230621A ,2017-10-03

[7]

氮化镓肖特基二极管的阳极制作方法 [P].

刘美华 ;

孙辉 ;

林信南 ;

陈建国 .

中国专利 :CN107104040A ,2017-08-29

[8]

集成有肖特基二极管的功率MOS晶体管器件的制造方法 [P].

孙效中 ;

张朝阳 ;

李江华 ;

房宝清 .

中国专利 :CN102104026A ,2011-06-22

[9]

氮化镓肖特基二极管的制备方法 [P].

刘美华 ;

孙辉 ;

林信南 ;

陈建国 .

中国专利 :CN107104046A ,2017-08-29

[10]

具有集成的肖特基二极管的功率晶体管 [P].

M·黑尔 ;

R·埃尔佩尔特 ;

C·莱恩德茨 .

中国专利 :CN114078973A ,2022-02-22

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