氮化镓肖特基二极管的阳极制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610099818.2

申请日：

2016-02-23

公开(公告)号：

CN107104040A

公开(公告)日：

2017-08-29

发明(设计)人：

刘美华孙辉林信南陈建国

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区颐和园路5号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21306 H01L21329 H01L29872

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

马爽;黄健

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-28	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/28 申请公布日:20170829
2017-09-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101749362609 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2016100998182 申请日:20160223
2017-08-29	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化镓肖特基二极管及其制作方法 [P].

刘美华 ;

孙辉 ;

林信南 ;

陈建国 .

中国专利 :CN107230623A ,2017-10-03

[2]

耐压氮化镓肖特基二极管的制作方法 [P].

刘美华 ;

孙辉 ;

林信南 ;

陈建国 .

中国专利 :CN107104045A ,2017-08-29

[3]

氮化镓肖特基二极管的制造方法 [P].

刘美华 ;

孙辉 ;

林信南 ;

陈建国 .

中国专利 :CN107104047A ,2017-08-29

[4]

氮化镓肖特基二极管 [P].

江守权 .

中国专利 :CN212136453U ,2020-12-11

[5]

氮化镓肖特基二极管 [P].

郝茂盛 ;

袁根如 ;

张楠 .

中国专利 :CN212542440U ,2021-02-12

[6]

氮化镓肖特基二极管 [P].

刘丹 .

中国专利 :CN114864656A ,2022-08-05

[7]

氮化镓肖特基二极管及其制作方法 [P].

张葶葶 ;

朱廷刚 ;

李亦衡 ;

王东盛 ;

苗操 ;

魏鸿源 ;

严文胜 .

中国专利 :CN106952966B ,2017-07-14

[8]

氮化镓肖特基二极管及其制作方法 [P].

张春福 ;

陈大正 ;

赵化彬 ;

赵胜雷 ;

张雅超 ;

朱卫东 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN110491932B ,2019-11-22

[9]

氮化镓二极管的制作方法与氮化镓二极管 [P].

刘美华 ;

孙辉 ;

林信南 ;

陈建国 .

中国专利 :CN107104176B ,2017-08-29

[10]

垂直氮化镓肖特基二极管 [P].

朱廷刚 ;

安荷·叭剌 ;

黄平 ;

何约瑟 .

中国专利 :CN103107204A ,2013-05-15

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