氮化镓二极管的制作方法与氮化镓二极管

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专利类型
发明
申请号
CN201610099816.3
申请日
2016-02-23
公开(公告)号
CN107104176B
公开(公告)日
2017-08-29
发明(设计)人
刘美华 孙辉 林信南 陈建国
申请人
申请人地址
100871 北京市海淀区颐和园路5号
IPC主分类号
H01L3332
IPC分类号
H01L3336 H01L3300
代理机构
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205
代理人
马爽;黄健
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
氮化镓肖特基二极管 [P]. 
刘丹 .
中国专利 :CN114864656A ,2022-08-05
[2]
氮化镓PIN二极管 [P]. 
赵成 ;
王思元 ;
韩亚 ;
孙越 ;
王毅 .
中国专利 :CN213660419U ,2021-07-09
[3]
氮化镓肖特基二极管 [P]. 
郝茂盛 ;
袁根如 ;
张楠 .
中国专利 :CN212542440U ,2021-02-12
[4]
氮化镓肖特基二极管 [P]. 
江守权 .
中国专利 :CN212136453U ,2020-12-11
[5]
垂直氮化镓肖特基二极管 [P]. 
朱廷刚 ;
安荷·叭剌 ;
黄平 ;
何约瑟 .
中国专利 :CN103107204A ,2013-05-15
[6]
氮化镓基发光二极管的制作方法及氮化镓基发光二极管 [P]. 
王强 ;
王磊 ;
李国琪 ;
涂招莲 ;
巩春梅 .
中国专利 :CN104425662A ,2015-03-18
[7]
高压氮化镓肖特基二极管 [P]. 
A·伊万 .
中国专利 :CN205406530U ,2016-07-27
[8]
高压氮化镓肖特基二极管 [P]. 
A·伊万 .
中国专利 :CN106486553A ,2017-03-08
[9]
垂直氮化镓肖特基二极管 [P]. 
A·伊万 ;
D·阿尔奎尔 ;
Y·科尔迪耶 .
中国专利 :CN104821341A ,2015-08-05
[10]
氮化镓肖特基二极管的制造方法 [P]. 
刘美华 ;
孙辉 ;
林信南 ;
陈建国 .
中国专利 :CN107104047A ,2017-08-29